微波圆柱和同轴高阶横磁模式及其输出耦合.pdfVIP

摘 要 本文研究了微波圆柱和同轴谐振腔各阶TM模式的特性及其关联参数，给出 了模式图；分析了其特性阻抗随腔体尺寸、频率和模式阶数变化的规律。对于圆 柱腔，较低阶模的模式间隔较大。在低频段的低阶模可采用较大半径的腔体，而 在高频段欲采用低阶模式就必须选用半径很小的腔体。这就限制了功率的提升。 而同轴谐振腔在高频段的高阶TM。。o模有较大的模式间隔。在同轴腔的长度以其 横截面外半径取特定值时，腔内电场峰值位置处的轴向特性阻抗随内径的变化存 在极大值；在高频段可以采用很大横截面的腔体结构和很高阶的模式；在给定的 频率下，同轴腔体的横截面尺寸与TMnlo模式的阶数几乎可以自由选择。理论计 算结果与用电磁场软件的模拟结果相一致。所得规律可以为TM模式工作的微波 谐振腔的设计提供指导。以避免设计初期冗长的模拟与试错实验，提高了设计的 速度和准确性。 计算了微波圆柱和同轴谐振空腔TM模式的无载Q值随腔体尺寸和模式阶数 等多种参数的变化规律。计算值与仿真值相符。这对于谐振腔的设计(例如高能 加速器)有～定的参考意义。在同轴腔TM模式电场的极大值E。位置处引入带 间隙的供电子束流通的细金属漂移管后，模拟分析了其结构的系列参数。 根据单端口微波网络的特性，以电磁场计算软件H