微环激光器的设与测量.pdfVIP

摘要 本文采用InP基InAIGaAs多量子阱激光器外延材料结构，利用感应耦合等 离子体(ICP)干法刻蚀技术和聚酰亚胺介质平坦化工艺，研制了多量子阱半导 体环形激光器样品。微环谐振器在光通信方面具有广泛的应用。由于微环谐振器 的谐振不需要腔面或光栅来提供光反馈，因此十分有利于和其他光电子元器件的 单片集成。研制此类器件的目的在于利用该器件的光学双稳态特性，通过多环甚 至环形阵列等结构来实现全光存储。首先通过计算器件参数，设计出多种合理的 环波导与直波导尺寸及耦合距离；再利用干法刻蚀等半导体工艺技术加工出成 品。在测试过程中，通过向环形结构谐振腔加正电压以实现光激射，然后借助紧 邻的直线波导耦合将光信号输出。环形谐振腔在激射的过程中，受微环谐振方程 的限制，会自动将谐振频率选定在1550rim左右。在测试过程中，需考虑光纤与 直波导端口的耦合效率问题及器件的散热问题。用光纤与直线波导端口耦合测试 了环形激光器的光功率一电流特性曲线和激射光谱，得出当环形谐振腔直径为 7001．t 1．t m，波导宽度为3ITI时，阈值电流为40mA，在注入电流120mA时从直波 导耦合输出得到激射光谱的中心波长为1602nm，基本满足光通信的需要，为下 一步实现光逻辑