《第2章 全控型电力电子器件》.pptVIP

第二章 全控型电力电子器件 GTO——门极可关断晶闸管 GTR——电力晶体管 MOSFET——电力场效应晶体管 IGBT——门极绝缘栅双极晶体管 模块 IGBT 1.1 什么是电力电子技术-电力电子器件 1.1 什么是电力电子技术-开关器件 第一节 门极可关断（GTO）晶闸管 1. 结构 2. 导通关断条件 导通：同晶闸管，AK正偏，GK正偏 关断：门极加负脉冲电流 3.特点 全控型 容量大 ?off≈5 电流控制型　 第二节 GTR——电力晶体管 电力晶体管GTR （Giant Transistor，巨型晶体管） 耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor——BJT），英文有时候也称为Power BJT 在电力电子技术的范围内，GTR与BJT这两个名称等效。 ??应用 20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，但目前又大多被IGBT和电力MOSFET取代 二. 电力晶体管 在应用中，GTR一般采用共发射极接法。 集电极电流ic与基极电流ib之比为 （1-9） ? ——GTR的电流放大系数，反映了基极电流对集电极电流的控制能力 。 当考虑到集电极和发射极间的漏电流Iceo时，ic和ib的关系为 ic=? ib +Iceo