第十二章 霍耳效应.ppt

 一、引言 1. 1879年霍尔发现： 把通有电流的半导体放在均匀磁场中，如果磁场方向与电流方向垂直那么则在与磁场和电流方向均垂直的方向上产生一个电压，人们将这个电压叫做霍尔电压，半导体的这种现象被称为霍尔效应。 一、引言 2. 德国物理学家克利青(Klaus von Klitzing）在研究极低温度和强磁场中的半导体时发现了量子霍耳效应，为此获得了1985年的诺贝尔物理学奖。 3. 美国物理学家崔琦、劳克林(Robert B.Laughlin）、施特默(Horst L.St rmer）在更强磁场下研究量子霍尔效应时发现了分数量子霍尔效应，他们为此获得了1998年的诺贝尔物理学奖。 　　 一、引言 最近张首晟教授首次预言了“量 子自旋霍尔效应” ，之后被实验证实。这一成果被评为2007年十大科学进展之一。如果这一效应能在室温下工作，它可能导致新的低功率的“自旋电子学”计算设备的产生。 一、引言 霍尔系数和电导率的测量是研究半导体材料的主要方法之一 通过霍耳实验测量半导体材料的霍尔系数和电导率可以判断材料的导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等主要参数。测得霍尔系数和电导率随温度变化的关系，还可以求出半导体材料的杂质电离能和材料的禁带宽度。 霍尔效应此后在测量、自动化、计算机和信息技术等领域得到了广泛的应用，比如测量磁场的高斯计，用于测量静态磁场或交变磁场  　　 二 霍耳效应的原理 把通有电流的半导体放在均匀磁场中，设电场沿x方向，电场强度为Ex；磁场方向沿z轴方向，磁感应强度为Bz，则在垂直于电场和磁场的+y或-y方向将产生一个横向电场Ey,这个现象称为霍耳效应。 目标：分析霍耳效应产生的原因及霍耳系数的值 1. P型半导体的霍耳效应 沿ox轴正方加电场Ex, 空穴的漂移速度vx, 产生的漂移电流密度: 横向霍耳电场的存在说明，在有垂直磁场时，电场和电流不在同一方向，两者之间的夹角?称为霍耳角。 达到稳定时，y方向没有电流，电流仍沿+x方向，但总电场E不在x方向，在xoy面的第一象限: 2. n型半导体的霍耳效应 电流沿 +x轴方向，则电子的漂移速度沿-x方向 洛伦兹力沿-y方向，电子在洛伦兹力作用下向-y方向偏转，在A面积累电子，形成沿-y方向的霍耳电场Ey. 受到沿+y方向的电场力。稳定时有： 12.2两种载流子的霍耳效应 对于大多数半导体,?n?p （1）纯净半导体或高温下本征激发起主要作用的杂质半导体n=p,RH0,随温度升高，RH的绝对值减小。 （2）P型半导体，强电离区，pn, RH0; 小结 一 重要术语解释 1．霍尔效应：半导体中载流子在相互垂直的电场和磁场中运动时，载流子发生偏转，在垂直于电场和磁场的方向产生霍尔电压的效应。 2．霍尔电压：在霍尔效应测量中，半导体上产生的横压降。霍尔电压的正负反映了半导体的导电类型。 二、知识点 1. 学完本章后，读者应具备如下能力： 2. 描述霍尔效应。根据霍尔电压的正负，判断半导体的导电类型 3．利用霍尔效应计算载流子的浓度和迁移率 三、复习题 1．描述霍尔效应。 2．解释为什么霍尔电压的正负反映了半导体的导电类型(n型或p型)。 * * * * * * 第十二章 半导体的磁效应 -霍耳效应 一、引言 二、霍耳效应的原理 三、霍耳效应的应用 四、小结 B I VH 霍耳效应测量设备 样品架 本科基础实验使用的霍耳效应测量设备 A B 霍耳效应 半导体中同时有电子和空穴两种载流子存在时，当达到稳定时，沿霍耳电场方向（y方向）上的总电流为0，但空穴电流和电子电流并不为0，设分别为（Jp)y和（Jn)y,则有：（假定： Ex沿+x，霍耳电场沿+Y） 霍耳电场引起的空穴电流方向沿+y方向， 大小为qp?pEy 洛伦兹力引起的空穴电流的方向沿-y方向 大小为： 总空穴电流为 霍耳电场和洛伦兹力引起的电子的电流方向均沿+y方向，同样的分析可得： 稳定时总电流为0 霍耳电场 总电子电流为 霍耳电场 x方向的电流密度 两种载流子的霍耳系数 练习： 第十二章习题： 1题 作业： 第十二章习题 2题