微电子器件原理结型场效应晶体管.ppt

第六章 结型场效应晶体管 6.1 pn结场效应晶体管（JFET） 6.2 金属-半导体场效应晶体管（MESFET） 参考书 1．集成电路器件电子学（第三版）Device Electronics for Integrated Circuit Richard S. Muller, Theodore I. Kamins, Mansun Chan 著王燕，张莉译 许军审效, 电子工业出版社p184--190页 2．晶体管原理，刘永 张福海编著，国防工业出版社，2002.1，p273-303 6.1 pn结场效应晶体管（JFET） 6.1.1 JFET器件基本工作原理 6.1.2 JFET器件器件类型和代表符号 6.1.3 JFET器件分析--源极接地，漏极上加小的偏压VD 6.1.4 JFET器件分析--源极接地，漏极上加大的偏压VD 6.1.5 JFET参数 6.1.1 JFET器件基本工作原理 源极向沟道提供多数载流子。 沟道：栅极的耗尽区和衬底pn结耗尽区之间的中性区。衬底通常接地。 n沟道JFET中漏极正偏，电流通过沟道从漏极流向源极。 如果将源极接地，同时在栅极上加负偏压，pn界的耗尽区将扩大，沟道变窄，沟道电阻增加，导致从沟道流向源端的电流减小，栅极上外加偏压可以控制沟道中的电流。 p 沟道JFET中电流从源端流向漏端。 因为只有少量的电流流向反偏pn结，所以控制电极上的功耗非常小，而更多的功率通过控制电流得以传递。这种结型场效应晶体管可用做功率放大器。 6.1.2 JFET器件器件类型和代表符号 耗尽型：栅压为零时已存在导电沟道的器件。（常开） 增强型：栅压为零时不存在导电沟道的器件。（常关） 例：高阻材料，当栅压为零时，栅结扩散电势已使沟道完全耗尽而夹断，因而栅压为零时不存在导电沟道，只有当施加一定的正向栅压才能形成导电沟道的器件，叫增强型器件。 应用：高速低功耗电路 6.1.3 JFET器件分析--源极接地，漏极上加小的偏压VD 公式推导 沟道电阻： （1） 式中沟道电阻率： （2） 漏极电流： （3） （4） （5） 把（4）、（5）代入（3）得 （6） n型区完全没有耗尽区时的电导： （7） 讨论 电流 （8） 在给定栅压下，并且外加漏极电压很小时，可得到ID和VD之间呈线性关系； 而根据栅—沟道结为突变结的条件，上式中漏极电流与栅极电压成平方根关系； 电流在外加栅极电压等于零时最大。 6.1.4 JFET器件分析--源极接地，漏极上加大的偏压VD 当漏端电压相对源端较高时，JFET沟道中耗尽区宽度沿沟道方向发生变化 沟道和栅之间的电压是y的函数，因此耗尽区宽度和沟道横截面积都随y变化。耗尽区靠近漏端的电压比源端高，因此耗尽区在漏端要宽一些。 采用缓变近似，即假设从源端到漏端，沟道和耗尽宽度变化缓慢。 电流电压关系推导 y处沟道长度dy上的电压增量为： （9） 耗尽区宽度 受到电压 的控制， 是y处的沟道电势 ，因此