Y波导集成光学器件高低温储存寿命试验.pdfVIP

第22卷第 1期 中国惯性技术学报 Vb1．22No．1 2014年2月 JournalofChineseInertialTechnology Feb．2014 文章编号：1005．6734(2014)01．0109—05 doi：10．13695~．cnki．12—1222／o3．2014．01．022 Y波导集成光学器件高低温储存寿命试验 李俊慧 ，党进超 ，张 宁 ，王新 占 ，赵 斌 ，郑远生 ，杨德伟 (1．北京世维通科技发展有限公司，北京 100738；2．北京航天航空大学 光电技术研究所，北京 100191) 摘要：为摸清Y波导在高低温储存环境下的薄弱环节及其寿命，通过开展高低温条件下的储存寿命试 验，分阶段测试 Y波导的插入损耗、分束比、尾纤偏振 串音和半波电压等参数，有失效器件产生时则 终止试验。对试验参数分析知，耦合区材料及结构是波导的薄弱环节。试验结果表明Y波导的插入损 耗变