《SPI串行Flash在数据存储系统中的应用+》.pdf

SPI 串行Flash 在数据存储系统中的应用 作者：天津大学精仪学院 陈世利 孙墨杰 粟大超 靳世久 来源：《国外电子元器件》 摘要：ATMEL 公司生产的串行Flash AT45 系列存储器的容量已达到了16Mb，常 用于数据存储系统。文中以AT45D041 为例，详细介绍了该系列Flash 存储器的命 令集以及串行SPI 接口的应用方法，并给出了相应的模式时序。 关键词：SPI Flash Buffer 中断 AT45D041 1 概述 在目前所有的非易失性存储器（PROM 、 EPROM 、EEPROM 和Flash ）中，唯有Flash 存储器 几乎拥有现今讲究个性化的用户所需的所有特点，它 具有掉电数据不丢失、快速数据存取速度、电可擦 除、容量大、在线可编程、价格低廉以及足够多的擦 除、容量大、在线可编程、价格低廉以及足够多的擦 写次数（一百万次）和较高的可靠性等诸多优点，因 而已为新一代嵌入式应用（如数字相机和MP3 播放 机）的首选存储器。现在FLASH 的成本已低于 PROM/EPROM ，可以肯定，它将很快占邻 PROM/EPROM 市场，MASK （掩膜）ROM 尽管在大 指生产时具备一定的价格优势，但其升级不便的弱点 将随着今后FLASH 成本的进一步降低，而使得 MASK ROM 的前景并不乐观。 ATMEL 生产的Flash AT45 系列中的AT45D041 为单5V 供电的SPI 接口器件，其封装形式有PLCC 、 TSOP 和SOIC 三种，图 1 给出了该器件采用SOIC 封 装形式的管脚排列和说明。 AT45D041 的内部结构如图2 所示。该器件有2048 页（每页264 字节）内存（Flash Memory,也叫主 存Main Memory ）和两具Buffer(每个Buffer 为264 字节的SRAM)组成。数据可以直接写入闪存，也可 以选写入Buffer ，然后再将Buffer 的数据整个复制到闪存的某一天，也可以在闪存正处于编程时（页编 程时间典型值7ms ）将数据写入Buffer 。以下是该器件的一些特点： ●一页主存传送到Buffer 的典型时间为80µs； ●有效电流的典型值为15mA，空闲 电流为20µA ； ●最大时钟频率为10MHz； ●具有硬件擦、写保护功能，当WP 脚为低时，前256 页钭禁止编程。 ●输入输出与CMOS 和TTL 电平兼容； ●具有商业和工业两种温度范围； ●可单周期重编程（包括擦除和编程）； ●带有串行接口，读写操作时地址会自动增1； ●复位时将终止正在进行的操作，当复位管脚恢复高电平时，操作也可以恢复； ●传送数据时，高位（MSB ）在前。 2 操作命令介绍 对AT45D041 的操作一共有18 条命令，表1 所列为AT45D041 的操作命令集。其中： 表1 AT45D041 的操作命令集 读主存 52H rrr PA10～PA0 BA8～BA0 32 个× 读Buffer1 54H ×××× 11 个× BFA8～BFA0 8 个× 读Buffer2 56H ×××× 11 个× BFA8～BFA0 8 个× 主存传送到Buffer1 53H rrrr PA10～PA0 9 个× 主存传送到Buffer2 55H rrrr PA10～PA0 9 个× 主存与Buffer1 比较 60H rrrr PA10～PA0 9 个× 主存与Buffer2 比较 61H rrrr PA10～PA0 9 个× 写Buffer1 84H ×××× 11 个× BFA8～BFA0 写Buffer2