LED半导体发光二极管工作原理、特性及应用.pdfVIP

LED 半导体发光二极管工作原理 特性及应用 2008-8-9 半导体发光器件包括半导体发光二极管 （简称LED）、数码管、符号管、米 字管及点阵式显示屏 （简称矩阵管）等。事实上，数码管、符号管、米字管及矩 阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。 一、 半导体发光二极管工作原理、特性及应用 （一）LED 发光原理 发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs （砷化镓）、GaP （磷化镓）、GaAsP （磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN 结。因此它具有一般P-N 结的I-N 特性，即正向导通，反向 截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发 光特性。在正向电压下，电子由N 区注入P 区，空穴由P 区注入N 区。进入对方 区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光，如图1 所示。 PDF 文件使用 pdfFactory Pro 试用版本创建 假设发光是在P 区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或 者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子 被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合， 每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比 例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近 PN 结面数 μm 以内产生。 理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域 的半导体材料禁带宽度Ｅg 有 ，即 λ≈1240/Eg （mm）式中Eg 的单位为电子伏 特（eV）。若能产生可见光（波长在380nm 紫光～780nm 红光），半导体材料的 Eg 应在3.26～1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、 黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格很高，使用不普遍。 （二）LED 的特性 1．极限参数的意义 （1）允许功耗Pm:允许加于LED 两端正向直流电压与流过它的电流之积的最 大值。超过此值，LED 发热、损坏。 （2）最大正向直流电流IFm：允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损 坏二极管。 （3）最大反向电压VRm：所允许加的最大反向电压。超过此值，发光二极管 PDF 文件使用 pdfFactory Pro 试用版本创建 可能被击穿损坏。 （4）工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此 温度范围，发光二极管将不能正常工作，效率大大降低。 2．电参数的意义 （1）光谱分布和峰值波长：某一个发光二极管所发之光并非单一波长，其波 长大体按图2 所示。由图可见，该发光管所发之光中某一波长λ0 的光强最大， 该波长为峰值波长。 （2）发光强度IV：发光二极管的发光强度通常是指法线 （对圆柱形发光管是 指其轴线）方向上的发光强度。若在该方向上辐射强度为 （1/683）W/sr 时，则 发光1 坎德拉 （符号为cd）。由于一般LED 的发光二强度小，所以发光强度常 用坎德拉(mcd)作单位。 （3）光谱 宽度 Δλ:它表示发光管的光谱纯度.是指图3 中1/2 峰值光强所 对应两波长之间隔. （4） 值角θ1/2和视角：