三极管与场效应管开关原理.pdf

三极管与场效应管开关原理 BJT BJT BBJJTT的开关工作原理： 形象记忆法 ： 对三极管放大作用的理解，切记一点：能量不会无缘无故的产生，所以，三极 管一定不会产生能量。它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。但三极管厉 害的地 方在于：它可以通过小电流控制大电流。假设三极管是个大坝，这个大 坝奇怪的地方是，有两个阀门，一个大阀门，一个小阀门。小阀门可以用人力打 开，大阀门很 重，人力是打不开的，只能通过小阀门的水力打开。 所以，平常的工作流程便是，每当放水的时候，人们就打开小阀门，很小的水 流涓涓流出，这涓涓细流冲击大阀门的开关，大阀门随之打开，汹涌的江水滔滔 流下。 如果不停地改变小阀门开启的大小，那么大阀门也相应地不停改变，假若能严 格地按比例改变，那么，完美的控制就完成了。 在这里，Ube 就是小水流，Uce 就是大水流，人就是输入信号。当然，如果把 水流比为电流的话，会更确切，因为三极管毕竟是一个电流控制元件。 如果水流处于可调节的状态，这种情况就是三极管中的线性放大区。 如果那个小的阀门开启的还不够，不能打开大阀门，这种情况就是三极管中的 截止区。 如果小的阀门开启的太大了，以至于大阀门里放出的水流已经到了它极限的流 量，这种情况就是三极管中的饱和区。但是你关小小阀门的话，可以让三极管工 作状态从饱和区返回到线性区。 如果有水流存在一个水库中，水位太高（相应与Uce 太大），导致不开阀门江水 就自己冲开了，这就是二极管的反向击穿。PN 结的击穿又有热击穿和电击穿。 当 反向电流和反向电压的乘积超过PN 结容许的耗散功率，直至PN 结过热而烧 PN 毁，这种现象就是热击穿。电击穿的过程是可逆的，当加在 结两端的反向电 压降低 后，管子仍可以恢复原来的状态。电击穿又分为雪崩击穿和齐纳击穿两 类，一般两种击穿同时存在。电压低于5－6V 的稳压管，齐纳击穿为主，电压 5 6V 5 6V 高于 － 的稳压管，雪崩击穿为主。电压在 － 之间的稳压管，两种击穿 程度相近，温度系数最好，这就是为什么许多电路使用5－6V稳压管的原因。 在模拟电路中，一般阀门是半开的，通过控制其开启大小来决定输出水流的大 小。没有信号的时候，水流也会流，所以，不工作的时候，也会有功耗。 而在数字电路中，阀门则处于开或是关两个状态。当不工作的时候，阀门是完 全关闭的，没有功耗。比如用单片机外界三极管驱动数码管时，确实会对单片机 管脚输 出电流进行一定程度的放大，从而使电流足够大到可以驱动数码管。但 此时三极管并不工作在其特性曲线的放大区，而是工作在开关状态（饱和区）。 0 当单片机管脚 没有输出时，三极管工作在截止区，输出电流约等于 。 在制造三极管时，要把发射区的N型半导体电子浓度做的很大，基区P 型半导 体做的很薄，当基极的电压大于发射极电压（硅管要大0.7V，锗管要大0.3V）而 小于集电极电压时，这时发射区的电子进入基区，进行复合，形成Ie；但由于发 射区的电子浓度很大，基区又很薄，电子就会穿过反向偏置的集电结到集电区的 N Ic 型半导体里，形成 ；基区的空穴被复合后，基极的电压又会进行补给，形成 Ib。 理论记忆法： 当BJT 的发射结和集电结均为反向偏置（VBE＜0，VBC＜0），只有很小的反 IEBO ICBO iB≈ 0 iC≈0 VCE ≈VCC 向漏电流 和 分别流过两个结，故 ， ， ，对应 于下图中的Ａ点。这时集电极回路中的c、e 极之间近似于开路，相当于开关断 开一样。BJT 的这种工作状态称为截止。 当发射结和集电结均为正向偏置（VBE＞0，VBC＞0）时，调节RB，使IB=VCC / RC，则BJT 工作在上图中的C点，集电极电流iC 已接近于最大值VCC /RC， iC RC iB 由于 受到