氧化物半导体纳米结构制备及其电子场发射特性地研究.pdf

氧化物半导体纳米结构制备及其电子场发射特性 研究 摘要 随着科学技术的发展，对纳米材料的研究越来越重要。宽禁带金属氧化物纳 米结构的制备和应用是当今纳米材料领域的研究热点之一，这些金属氧化物大多 是优良的半导体材料，同时又具有纳米材料所特有的物理、化学特性。然而，不 同形貌半导体纳米材料的制备与应用、生长机理与特性研究、电子场发射性能研 究等涉及到许多新的学科和广泛的研究领域。新材料、新技术、新研究手段和方 法将会不断涌现，研究的广度和深度也将会大大增加。因此，探索纳米结构的制 备及其在电子场发射和传感器等方面的性能，在理论和实际应用上都具有非常重 的联合资助下，对不同衬底上宽禁带氧化物半导体纳米材料不同形貌的制备，图 形化生长，尤其是精细图形化分层生长，ZnO纳米结构微纳电路的直接生长，电 复合结构的制备与场发射特性，多种金属薄膜带的制备与场发射性能等进行了深 入研究。主要的研究内容和创新性成果如下： 1．利用热蒸发气相输运方法，通过改变不同的工艺参数，在多种衬底(硅、 石英、多孔硅、玻璃、纳米硅等1上成功制备了不同形貌的ZnO、Sn02纳米结构， 比较了不同生长参数对产品形貌的影响，分析了它们的生长机理，研