一维光子晶体禁带结构及其缺陷模耦合特性的研究.pdfVIP

摘要 一维光子晶体是光子晶体最基本的构型，因为其结构简单、易于制备， 同时具备二、三维光子晶体的性质，因此具有较高的理论价值和广泛的应用 前景。 本论文从一维光子晶体的结构特点出发，着重研究了有限周期一维光子 晶体的光子禁带及缺陷模的光学特性。利用光学特征矩阵方法推导出了任意 结构一维光子晶体的反射率、透射率公式，阐述了完全光子禁带的概念。计 算分析了一维中间替代缺陷光子晶体的缺陷模特性，得出：“，’(禁带缺陷模 对应频率)随“皿”(缺陷介质层的折射率)的增加而线性下降，并数值模拟 了它们的几何图形。根据，一仇的对应关系提出了一种测量介质折射率的 方法。研究了介质插层复折射率虚部的存在对透射谱特性的影响：随插层厚 度的增大和吸收特性的增强，缺陷模式并没有出现，而是表现为对透射峰的 明显增益。 通过数值模拟计算，分析了包含双缺陷的一维光子晶体的禁带结构特 性。由于两缺陷间存在相互作用，其禁带结构的性质受到两缺陷间隔光学厚 度及缺陷层折射率等因素的影响；模拟计算了缺陷模的简并与分裂，得到了 光子晶体缺陷态能级分裂与简并的规律。定义了描述两缺陷层间相互作用强 弱的参数——关联系数，并进一步分析了关联系数与两缺陷层间相隔光学厚 度及缺陷层折射率的关系。在此基础上又研究了多缺陷一维光子晶体的禁带 结构特性及多个缺陷模间的相互耦合作用，由于缺陷层间的相互耦合作用的 存在，多缺陷一维光子晶体禁带结构中的缺陷模个数与引入的缺陷的个数相 同。 关键词：一维光子晶体 传输矩阵 光子禁带 缺陷模 ABSTR：ACT basic is也e con蠡guration，lD One。dimensi∞al(1D)photoniccrystal arLdhasthc canbe due smIcture t0诋sirrlple made黼sily photon沁crystal of2Dand3D thcreleV鼬ttheofeticalrese粼hes properties photon沁crystals．so a糟valuableand晰de are applic撕onperspectiVesexpected． Thethesis thes协lcnlre凫atllresand discussestlle begins、“．【ll mainly o州ca王 characteristicsof fbrbidd髓bandanddefectmodein lD photonic finite_period tIIat andtl’an8missionof nis deriVed reflec畦Vity photoniccrystals， methodofch甜acteristic ra狂dom—s细】e蚀聪iD曲dtoniecryg镒醅镪e matrix，and the of a11d t】1e 麟plainsconc印tfull—hotonicballdg印．BystIldyinga