微电子工艺课程总结.ppt

课程总结 西安电子科技大学微电子学院 戴显英 2005.6.27 绪论（了解） 一、微电子技术发展历史 二、微电子技术发展的规律与 趋势 三、器件与集成电路制造工艺  简介 1、硅外延平面晶体管制造工艺（了解） （3DK3 —NPN型开关管） 2、PN结隔离双极型集成电路制造工艺（了解） 3、集成电路的特有工艺 （熟悉） ①隔离扩散 ②埋层扩散 第一章 衬底制备 §1.1 衬底材料（了解） 一、衬底材料的类型 1. 元素半导体 Si、Ge、C（金刚石） 2. 化合物半导体 GaAs、SiGe 、SiC 、GaN、ZnO 、HgCdTe 3. 绝缘体 蓝宝石 表1 周期表中用作半导体的元素 Ⅱ族 Ⅲ族 Ⅳ族 Ⅴ族 Ⅵ族 第2周期 B C N 第3周期 Al Si P S 第4周期 Zn Ga Ge As Se 第5周期 Cd In Sn Sb Te 第6周期 Hg Pb 二、对衬底材料的要求（了解） §1.2 单晶的制备（了解） 一、直拉法（CZ法） 二、悬浮区熔法（float-zone，  FZ法） 三、水平区熔法（布里吉曼法）  ---GaAs单晶 §1.3 衬底制备 一、晶体定向（了解） 1．光图像定向法（表1.11） 2. X射线衍射法 二、晶面标识（熟悉） 1．主参考面（主定位面，主标志面） ①作为选定芯片图形与晶体取向关系的参考； ②作为硅片（晶锭）机械加工定位的参考面； ③作为硅片装架的接触位置，可减少硅片损耗； 2.次参考面（次定位面，次标志面） 识别晶向和导电类型 三、晶片加工（了解） 切片、磨片、抛光 第二章 掺杂技术（熟悉、掌握） §1 扩散 一、 扩散原理（熟悉） 本质上：扩散是微观粒子做无规则热运动的统计结果。 方向上：高浓度向低浓度扩散。 1.菲克第一定律 J=-D·▽N 2.扩散模型（掌握） ①间隙式扩散 ② 替位（代位）式扩散 3.扩散系数（熟悉） D=D0 exp(-Ea /kT) D0—表观扩散系数，Ea—激活能； D是描述粒子扩散快慢的物理量，是微观扩散的宏观描述。 3.菲克第二定律—扩散方程（掌握） 二、扩散杂质的浓度分布 1.恒定表面源扩散/恒定表面浓度扩散（掌握） 定义（特征）: 在扩散过程中，Si片表面的杂质浓度始终不变。 例如：预淀积，箱法扩散 余误差分布 杂质总量 结深 2.有限表面源扩散/恒定杂质总量扩散(掌握) 定义（特点）：在扩散过程中，杂质源限定于扩散前淀积在晶片表面极薄层内的杂质总量Q，没有补充，也不会减少。 例如：再分布。 －－高斯分布 结深 3．两步扩散工艺(熟悉） 第一步：较低温度下，预淀积； 第二步：较高温度下，再分布； 两步法的浓度分布： ①预淀积（恒定源扩散） ――余误差分布； 目的:准确控制表面杂质总量Q。 ②再分布（有限源扩散）―高斯分布 目的：达到所需的Ns和Xj 4.实际杂质分布（了解） 5．扩散层质量参数（了解） ①结深的测量（熟悉） a.磨角染色法： b.滚槽染色法： ②方块电阻R□(RS) ③表面浓度Ns--查图法（了解） ④次表面浓度和次表面薄层电阻（了解） ⑤击穿特性(了解） 三. 扩散方法（了解） §2-2 离子注入 特点（熟悉） ①注入温度低②掺杂数目完全受控③无污染④横向扩散小⑤不受固溶度限制⑥注入深度随离子能量的增加而增加 缺点： ①损伤(缺陷)较多:必须退火。 ②成本高 一,离子注入设备（了解） 二. 能量损失模型（掌握） 1.核阻挡模型 2.电子阻挡模型 三. 注入深度（熟悉） 1.总射程R ① E0 Ene,即以核阻挡为主，令Se(E)=0,则 R≈k1E0 ②E0 Ene,即以电子阻挡为主，令Sn(E)=0,则 R≈k2 E01/2 2.投影射程XP 3.平均投影射程RP 4.标准偏差（投影偏差）△RP—反映了RP的分散程度（分散宽度）。 5.R, RP, △RP间的近似关系 四. 浓度分布 1.高斯分布（了解） 2.横向效应（了解） 3.沟道效应（熟悉） 减小沟道效应的途径 ①注入方向偏离晶体的主轴方向；②提高温度；③增大剂量； ④淀积非晶表面层（SiO2)；⑤在表面制造损伤