太阳能扩散工艺基础原理.ppt

背面四周边缘烧焦宏观、微观照片及原因分析 背面四周边缘烧焦（发黄） 宏观 微观200倍 微观400倍 微观600倍 背面四周边缘烧焦，大部分为清洗后未烘干所致。 正常绒面 烧焦片 清洗原理 杂质的分类 有机物沾污：包括切、磨、抛工艺中的润滑油脂；石蜡、松香等粘合剂；手指分泌的油脂及光刻胶、有机溶剂的残留物等。 金属离子、氧化物及其他无机物质：包括腐蚀液中重金属杂质离子的残留；各种磨料中的氧化物或金属离子；使用的容器、镊子、水中金属离子的沾污；各种气体、人体汗液等引入的杂质离子。 其他可溶性杂质。 清洗的思路 清洗硅片的一般工艺程序为: 去分子→去离子→去原子→去离子水冲洗 另外, 为去除硅片表面的氧化层, 常要增加一个稀氢氟酸浸泡步骤，因为氧化层是沾污陷阱也会引入外延缺陷 清洗原理 清洗液的要求 清洗硅片的清洗溶液必须具备以下两种功能: (1)去除硅片表面的污染物。溶液应具有高氧化能力，可将金属氧化后溶解于清洗液中，同时可将有机物氧化为CO2和H2O； (2)防止被除去的污染物再向硅片表面吸附。这就要求硅片表面和颗粒之间的Z电势具有相同的极性，使二者存在相斥的作用。 1 . 对硅腐蚀速率适中 2 . 高氧化势（原电池） 3. 能与金属离子形成络 4. 能溶解金属沾污 5. 不增加表面微粗糙度 6. 对环境的影响小 7 . 去除自然氧化层 清洗原理 清洗液的介绍 （1）HCl的作用：中和残留在硅片表面残余碱液；去除在硅片切割时表面引入的金属杂质。 注：盐酸具有酸和络合剂的双重作用，氯离子能与Fe3+、Pt2+、Au3+、Ag+、Cu+、Cd2+、Hg2+等金属离子形成可溶于水的络合物 （2）HF的作用：去除硅片表面二氧化硅层；与硅片表面硅悬挂键形成Si-H钝化键。 （3）DI Water：一个作用是冲洗硅片表面已经脱附的杂质，另外一个作用是冲洗掉硅片表面的残余洗液，防止对接下来的洗液产生负面影响。 清洗原理 现行工艺介绍 HCL/H2O2/H2O 循环DI Water DHF 去除表面微粒及金属杂质 去除化学作用产生的氧化层 循环DI Water 扩散，是一种高温制程。是将掺杂气体导入放有硅片的高温炉中,将杂质扩散到硅片内以改变半导体基片或已扩散区域的导电类型或表面杂质浓度的一种方法。在以硅为底材的半导体制程中,主要有两种不同形态的Dopant :P-type ,N-type 。 扩散机制 扩散的定义 扩散技术目的在于控制半导体中特定区域内杂质的类型、浓度、深度和PN结。扩散机构分为替位式扩散机构和填隙式扩散机构。 空位扩散 填隙扩散 替位填隙扩散 直接交换 环形交换 磷扩散可通过空位扩散、替位填隙扩散两种机制实现 扩散机制 扩散机制 空位扩散 空位扩散条件 结构条件——扩散原子周围存在点阵空位 能量条件——扩散原子具有超越能垒的自由能量 p型电池片存在空穴，掺杂pocl3多出电子可跳跃至空穴中，实现空位扩散。 对于直接易位和环易机构多发生在无点缺陷机制中，因此对于p型电池片的扩散不可能出现这两种机制。 扩散机制 替位填隙式扩散 结合替位和填隙两种扩散机制，当填隙式杂质原子遇到硅晶格空位时，可以被空位俘获而成为替位式杂质原子。 替位式扩散机构：这种杂质原子或离子大小与Si原子大小差别不大，它沿着硅晶体内晶格空位跳跃前进扩散，杂质原子扩散时占据晶格格点的正常位置，不改变原来硅材料的晶体结构。硼、磷、砷等是此种方式。 填隙式扩散机构：这种杂质原子大小与Si原子大小差别较大，杂质原子进入硅晶体后，不占据晶格格点的正常位置，而是从一个硅原子间隙到另一个硅原子间隙逐次跳跃前进。镍、铁等重金属元素等是此种方式。 扩散机制 替位填隙式扩散 结合替位和填隙两种扩散机制，当填隙式杂质原子遇到硅晶格空位时，可以被空位俘获而成为替位式杂质原子。 替位式扩散机构：这种杂质原子或离子大小与Si原子大小差别不大，它沿着硅晶体内晶格空位跳跃前进扩散，杂质原子扩散时占据晶格格点的正常位置，不改变原来硅材料的晶体结构。硼、磷、砷等是此种方式。 杂质原子 Si原子 晶格空位 扩散机制 替位填隙式扩散 结合替位和填隙两种扩散机制，当填隙式杂质原子遇到硅晶格空位时，可以被空位俘获而成为替位式杂质原子。 填隙式扩散机构：这种杂质原子大小与Si原子大小差别较大，杂质原子进入硅晶体后，不占据晶格格点的正常位置，而是从一个硅原子间隙到另一个硅原子间隙逐次跳跃前进。镍、铁等重金属元素等是此种方式 Si原子 杂质原子 PSG除去 硅 磷 气体反应淀积 O2 硅 氧化 POCl3 O2 PSG PSG 杂质再分布 扩散工艺过程：加