钙钛矿结构锰氧物薄膜的制备及其物性研究.pdfVIP

摘要 摘要 自从二十世纪九十年代发现钙钛矿结构的锰氧化物具有巨磁电阻效应以来， 钙钛矿结构的锰氧化物的巨磁电阻效应成为了人们关注的热点。由于巨磁电阻效 应在工业上具有很大的应用背景，如信息存储领域中的磁记录，磁头和传感器等 方面的应用。然而，这些应用主要是基于薄膜的特性。从基础研究上来讲，这些 锰氧化物表现出丰富的物理内容，如顺磁一铁磁相变伴随绝缘一金属相变，电荷轨 道有序，相分离，Jahn-Teller畸变，双交换模型以及各种相互作用之间的耦合， 这些复杂的现象激发了物理学研究人员的研究兴趣。更重要的是，从应用研究上 来讲，对巨磁阻薄膜的研究和探索，不仅对当前的自旋电子学的应用有重要意义， 而且为全氧化物或氧化物一金属原型薄膜器件的研制提供了有效途径。 本论文通过对钙钛矿锰氧化物外延膜的氧含量、应力与厚度效应的研究，探 讨了锰氧化物外延膜的结构畸变与磁性和输运性质的关系，特别是不同氧压与超 薄薄膜的结构与输运性质的关系，晶格失配应变与厚度效应等进行了深入的探 讨。下面是整个论文的主要内容(共四章)。 第一章全面介绍了巨磁阻锰氧化物的物理和薄膜的研究状况。首先回顾了 锰氧化物的各种性质，如晶体结构，电子结构，双交换模型，电荷有序，输运性 与巨磁效应，相分离，掺杂效应等。最后讨论了锰氧化物外延薄膜的制备方法， 及影响锰氧化物薄膜结构和电磁性质的相关因素以及在制备薄膜时需要注意的 问题。 第二章以Nd0 对Ndo7Sro．3Mn03(NSMO)外延薄膜的微结构及电磁性能的影响。通过研究不同 氧含量与外延膜的厚度效应的关系，指出超薄薄膜的结构和电阻／磁转变主要依 赖于不同氧压；而对于较厚的薄膜，其结构和电磁性既受氧压也受后处理过程控 制，这是由于较厚的膜薄中出现了柱界，柱界在后处理过程中吸附氧原子造成的。 因此，为了制备高质量的巨磁阻超薄薄膜，需要高的制备氧压。另外，退火温度 对薄膜的微结构和电磁性能也有一定的影响。 膜的结构和电磁性质的影响。实验研究指出薄膜的应变状态直接地影响薄膜的输 运行为。对共格外延的薄膜，其结构和电磁性质主要依赖于晶格失配应变(即 钙铁矿结构锰氧化物薄膜的制备及jt物件研究 J-T)和薄膜厚度。薄膜与衬底的晶格失配越大，发生晶格驰豫的厚度越小，且 随着膜厚的增加，金属一绝缘体转变温度乃更快的趋近于单晶块材的昂。因此， 为制备高性能的巨磁阻薄膜，晶格失配必须被考虑。 外延膜引起的外延膜电阻率的变化。不同厚度的L乩，Sro．矗lnO,(LSMO)外延薄膜被 构是单相的，具有与衬底相同的晶格取向； 随着膜厚的增加，LSMO外延膜的晶 格经历应变到驰豫的变化。电阻测量显示，应变驰豫的薄膜(较厚的薄膜)有较 大的电阻率，这与该膜中缺陷浓度增加有关。此外，也对生长在不同单晶衬底上 的LSMO外延膜(厚度相同)的结构和电阻进行了对比研究。 关键词：钙钛矿锰氧化物，外延薄膜，晶格失配应变，厚度效应 II Absttact Abstract Thestudiesof oxideshaveattractedmuchrenewed perovskitemanganese attentionsincethe ofcolossal inthe discovery mid-1990s．BecauseCMReffectsale valuableinindustrial asthe great demand，such magnetic randomaccess memory,magneticmemories，magneticSe=fISOrs；however, these demands onthe ofthethin—films．Asafundamental mainlydepend properties research，the