La、V掺杂对aBilt;,4gt;Tilt;,4gt;Olt;,15gt;陶瓷压电性能的影响.pdfVIP

摘要 论文题目：La 、V 掺杂对BaBi Ti O 陶瓷压电性能的影响 4 4 15 专 业：材料学 研 究 生：杨兴化 指导教师：黄金亮 摘 要 铋系层状钙钛矿结构铁电材料，因其优良的抗疲劳特性和铁电性能，近年来 成为非易失性铁电存储器材料的研究热点。该类材料的化学通式为(Bi O )2+(A 2 2 m- B O )2- ，是由(Bi O )2+ 层和钙钛矿层(A B O )2- 按一定规律共生排列而 1 m 3m+1 2 2 m-1 m 3m+1 成，其中A位为适合于12配位的离子及其复合，B为适合于八面体配位的离子及 其复合，m为钙钛矿层的层数 。但其综合性能，如疲劳性能、剩余极化(2Pr) 、 矫顽场(Ec)和制备温度等仍不能完全满足实际工业生产的要求。 为改善其压电性能，已经有人采用掺杂改性和工艺改性的方法提高铋钡系层 状压电陶瓷的性能，近年来对SrBi Ti O （SBT ）这种典型的铋层状钙钛矿结构 4 4 15 铁电材料的研究表明，采用元素La 、V对SBT进行掺杂可以有效地降低其矫顽 场，提高压电活性，改善压电性能。因此，本文采用La 、V 元素分别对 BaBi Ti O （简称BBT ）压电陶瓷进行A 、B 位离子置换取代来提高其压电性 4 4 15 能。 本文采用传统固相法工艺在850 ～900℃合成了La 、V 分别掺杂的BaBi1- La Ti O （简称BBLT-x ）和BaBi Ti V O （简称BBVT-y ）陶瓷粉体。XRD x x 4 15 4-y/3 4-y y 15 衍射分析表明，两种元素掺杂的BBT 压电陶瓷其物相均为层状钙钛矿 BaBi Ti O ，没有出现焦绿石相等其它杂相。X射线衍射峰的角度和相应衍射峰 4 4 15 的峰强没有明显改变，说明La 、V掺杂并没有改变BBT 陶瓷的晶体结构，而是形 成了以BBT为基体的置换固溶体。 将固相法制备的BBLT-x和BBVT-y 陶瓷粉体压制成片状并烧结成瓷。结果表 明：La 掺杂的BBLT-x 陶瓷烧结温度随La 掺杂量的增加而上升( 从1120 ～ 1150℃) ，而V掺杂BBVT-y 陶瓷烧结温度随V掺杂量的增加而没有变化(1120℃) 。 SEM扫描分析表明，La掺杂的BBT 陶瓷晶粒呈现片状形貌，且随La掺杂量的增 加晶粒尺寸减小；而V掺杂的BBT 陶瓷晶粒也呈现片状形貌，且随V掺杂量的增 加晶粒片状形貌更加明显，晶粒尺寸增大。陶瓷的介电性能和压电性能测量结果 表明：La掺杂的BBT 陶瓷介电损耗在La掺杂量为0.1时达到最小值，压电常数达 到最大值13pC/N，而V掺杂的BBT 陶瓷介电损耗在V掺杂量为0.03时达到最小， I 摘要 压电常数达到最大值18pC/N。 关 键 词：钛酸铋钡，掺杂，固相法，压电常数，介电损耗 论文类型：基础研究 II 摘要 Subject: The influence of La, V on piezoelectric properties of BaBi Ti O ceramics 4 4 15 Specialty:The