碳化硅电热元件层的制备及性能研究.pdfVIP

论文题目：碳化硅电热元件涂层的制备及性能研究 专 业：材料学 硕士生：王 芳 (签名) 毯 指导教师：李小池 (签名)李l谚姬丝 摘 要 SiC电热元件优异的抗氧化性缘于氧化中形成的致密Si02膜的低氧扩散系数和热膨 胀系数对SiC的保护作用，但在加热和冷却过程中的相变体积效应易使Si02膜开裂， 造成SiC氧化加剧。提高SiC高温下的使用寿命和抗氧化能力最为有效的措施之一是在 碳化硅电热元件表面涂覆抗氧化涂层。本文采用料浆法涂覆工艺，通过调整涂层原料及 组成比例，在碳化硅电热元件上制备了以莫来石为主的多组复合涂层。 本文主要基于对涂层原料组分的热膨胀系数、相变体积效应、高温氧扩散速率及高 温下与基体间化学稳定性的分析研究和对比实验，筛选出了抗氧化性能优异的莫来石 ／SiC／A1203／Si复合涂层。以循环热冲击和氧化增重的方法评价涂层抗氧化性能。同时研 究了涂层制备过程中不同工艺条件对涂层性能的影响，并通过观察未涂覆涂层及涂覆复 合涂层的基体在循环热冲击后的涂层形貌和基体的氧化增重情况，研究了复合涂层的形 成机理和抗氧化性能。 由热力学分析得出：在加热到一定温度条件下，涂层的氧化主要以 氧化增重率较无涂层的小。 1400℃保温4小时后用正硅酸四乙酯进行封闭处理。封闭处理涂层的抗氧化效果为： 裂纹，氧化增重0．079％，仅为未涂覆涂层基体氧化增重(1．492％)的1／18。 关键词：碳化硅电热元件；莫来石；抗氧化；复合涂层 研究类型：应用研究 Subject on and of ：StudyPreparationProperties forSiliconCarbide Coatings Electric Element Heating ：MaterialScience Specialty Name：WangFang (Signature) Instructor：LiXiaochi ．bⅪ幻幽 (Signature) ABSTRACT Loweroxidediffusioncoe衔cientandthermal coefficientofsilicondioxide expansion makeSiliconCarbideElectric Elememhaveexcellentoxidationresistanceinhigll Heating thevolume indifferent formof temperature．Butchange silicondioxide crystallographic and conditionmakesthethinfilm duringheating craze，andacceleratetheoxidation cooling rateofsilicon carbide．Oxidationandcorrosionresistant onthe coating surfaceofsilicon carbi