AlGalnP发光二极管外延材料及器件研究.pdfVIP

山东大学博士论文 内容 摘 要 彝元系AlGaInP是一种具有接“跃迁””隙的半”体材”，己广 泛应用于多种光电子器件的制备。由于此材料发光波段可以覆盖可见 光的红光到黄绿光波段，由此制成的可见光高亮度发光二极管受到广 泛关注。四元系AIGaInP高亮度发光二极管己大量应用于户外显示、 交通灯、汽车用灯、指示等许多方面。为了满足不断变化的需求，进 一步改进和提高器件的性能，因此需对此材料体系进行深入研究，设 计具有更高性能的材料结构和器件工艺。扮了一 本文针四元系AlGaInP高亮度发光二极管外延材料结构设计、 ..州.，..~‘户，吮，，目， .‘，户.~一 ，一 ，一.-，叫，门口 MOCVD材料外延生长及器件制备等方面，开展了一系列研究工作。 全文共分六章，简单阐述了MOCVD基本原理、发展历史和在光电 子材料和器件中的作用;对四元系AlGaInP高亮度发光二极管发展过 程和发展趋势进行了描述;从理论和基本原理开始，提出了一些提高 AlGaInP高亮度发光卫些业延且料和器件叁丝丝熊的丝tAAi思 想。通过大量实验证明，这些新思想和新结构，可有效地提高LED 的发光效率和稳定性，取得了很好的器件结果。 烤有源区内，我们采用了调制掺杂量子阱M(D-MQW’结“。 多量子阱结构比双异质结结构具有更高的载流子注入密度，更低的非 辐射复合，更小的光电吸收;低的有源区的AI含量以及同等条件下 具有更高的电光转换效率等优点，被广泛应用于LED和LD材料的 山东大学博士论文 ================ 制备.但对于AlGaInP材料来讲，由于其材料体系的载流子限制能力 比其他体系小，使MQWs的漏电流增加，降低了器件的量子效率. 因此提高载流子限制能力成为提高器件光电性能的关键。我们提出了 调制掺杂多量子阱(MD-MQWs)的设计思想，并应用于材料的制备。 通过对多量子阱势垒的调制掺杂改变量子阱的能带结构，使掺杂原子 与载流子在空间上分离，这样不仅提高了有源区的载流子浓度，而且 降低了杂质散射，又由于能带结构的改变，极大地提高了载流子的 限制能力，降低了漏电现象.实验结果表明采用此技术制备的LED 光电性能有了显著提高。 为了获得性能优良的长波长 ((640nm)及短波长 (580nm)外 延材料，在有源区内，我们引入了应力平衡量子阱结构 (SB-MD-MQWs)的新概念。量子阱宽度一般控制在8-10nm之间才 能更好的发挥MQWs结构的优势.由于量子尺寸效应，无应变GaInP 量子阱的发光波长为630nm左右。为了获得更长波长的器件，需对 量子阱增加应变，在应变量较小时可以制备出640nmLED，器件性 能良好。但随着波长的增大，应变量增大，太大的应变会破坏晶体结 构.在此基础上，我们提出了应力平衡概念，即量子阱的阱材料采用 正应变 (富In)，垒材料采用负应变 (富Ga)，两者的平均应变量控 制在10,3以下.结果表明在制备650nmLED时，晶体质量良好，得 到了很好的器件结果。在较短波长LED材料制备过程中，为了获得 较短波长，需在盆子阱内掺入较高Al。由于AI的负面影响，器件能 山东大学博士论文 =======二======== 性难以提高。为此我们采用了与长波长LED材料相反的应力平衡结 构，即阱材料采用负应变(富Ga)，垒材料采用正应变(富In)，在不增 加阱内A1含量的情况下，降低了波长，取得了良好的材料和器件结 果。 通过理论分析，我们在GaP窗口设计中加入了n-GaP电流阻挡 层结构，大大增加电流扩展作用。同时通过实验解决了二次外延的关 键技术难题。将此设计应用于短波长(570nm.540nn)和长波长(650 rim)LED材料的制备，器件发光亮度可提高 50%以上。同时由于 n-GaP电流阻挡层增强了电流扩展作用，在获得相同器件性能时可以 大幅度降低窗口层的厚度，降低材料成本。为了提高电流扩展，窗口 层需要重掺杂，以提高载流子浓度。但太高的掺杂，会增加窗口层内 杂质散射和缺陷光吸收，并且会增加杂质扩散，影响器件性能。为此 我们提出台阶掺杂和S掺杂设计，并应用于所有波长LED材料生长， 取得稳定良好结果。