晶体管发射结正电容的测量和分析.pdfVIP

p41 6657 摘要：(p-n结空间电荷区的电容是影响半导体器件并口集成电路开关速度和频率 响应特性的一个极为重要的参数。随着基区宽度的不断减小和基区重掺杂的应用，空 间电荷区电容对于双极型器件的性能越来越重要，如何较精确地测量晶体管空间电荷 区电容成了一个具有很大实际和理论意义的课题。在较高的反向偏压下用耗尽层近似 得到的势垒电容表达式相当精确，可以用反向的c—V测量结果求得P—N结的一些参 数“’2’”．但在正向偏压下，结电容和结电导都急剧增加，这给测量带来一定困难．通 提出将交流测量和直流测量相结合的方法来测量晶体管发射结的正向偏压电容。分析 了晶体管发射结正向电容随偏压变化的测试结果，得到晶体管发射结中等正向偏压下 的势垒电容。本文还对大圆片测试图形中的晶体管进行了测试，估算了晶体管的正向 渡越时间的范围。 关键字：结型晶体管，发射结，势垒电容，正向渡越时间 分类号：TN304．07 a device of is critical Abstract：The p-njunction regioncapacitance space—charge that affectsthe and of junction seriously switchingspeedfrequencyresponse parameter andmore and circuits．The ofsmallerbasewidths devicesintegrated implementation the more base hasmade capacitanceimportant heavilydopedregions space—chargeregion the measurement011 tothe of devices．Accurate space—charge performancebipolarjunction an both and becomes theoretically．At topic practically capacitance important region of is accurate depletioncapacitance using K曲-reversevoltage，theexpression quite