氮化镓分子束外性与光电性质及过渡金属氧化物超声特性研究.pdfVIP

摘要 本论文主要研究了分子束外延(MBE)生长的硅掺杂n型氮化镓异质外延 膜的光学、电学和光电性质，氮化镓的紫外光辅助电化学腐蚀，以及制备欧姆型 的氮化镓一金属接触。六方结构的氮化镓外延膜在蓝宝石衬底的c方向上生长。 本论文系统地研究了不同的极性的氮化镓薄膜的光学、电学和光电性质。并且研 究了中温缓冲层(ITBL)对不同极性的氮化镓异质外延膜在光学、电学、光电 等性质的影响。 ／ ‘f外延膜的两种不同极性通过控制低温缓冲层(LTBL)来获得。在AIN低温 ＼ 长的氮化镓薄膜具有N极性(N—polarity)。为了保持实验的可比较性，所有样品的 厚度被控制的相同，包括低温缓冲层和中温缓冲层。不同极性样品的光学性质主 Photoreflectance)，和拉曼散射光谱(Raman scattering)。 nln 室温下的光致发光谱显示所有样品都有很强的带隙发光峰，并且在400 到700 nnl间的黄光发光(YL，Yellow 品有很高的质量。低温的光致发光谱显示，氮极性的氮化镓薄膜在低能量的区域 出现四个比较宽的次发光峰，这些被认为是受主能级到导带的跃迁(ABE， exciton)，同时发现，氮极性薄膜的带隙发光峰宽度比镓极性的 acceptor-bound 薄膜明显宽。这说明在氮极性的氮化镓外延膜中杂质能级的分布和浓度都比在镓 极性的薄膜大。室温下的光调制反射光谱显示，所有样品在带边的跃迁发光都非 常尖锐。同时发现氮极性的薄膜在低能量区域有刺状结构，这和此样品的光致发 光谱相吻合。同样的结构在镓极性的薄膜中没有发现，所以认为选用镓极性的氮 化镓薄膜可以有效的减少这些深能级杂质。由于衬底和外延膜的晶格失配，造成 氮化镓薄膜中存在大量应力。拉曼光谱表明在不同极性的氮化镓薄膜中有不同形 式的剩余内应力存在，并且证明在镓极性的样品中存在压应力(Compressive stress)，在氮极性的样品中存在张应力(Tensilestress)。 进一步的研究表明，引入中温缓冲层并控制生长条件(温度和厚度)可以有 效的改进氮化镓外延膜的光学性质。氮极性的氮化镓薄膜在中温缓冲层上生长之 后，在光致发光谱中低能量区域的受主能级到导带的跃迁被有效的去除了，同时 带隙发光峰也变的很尖锐。半高宽和镓极性的样品没有明显差异。同样的现象在 光调制发射光谱中也发生。从拉曼光谱中霹模的拉曼位移可发现，对于氮极性 的薄膜，引入中温缓冲层后位移几乎没有变化。这表明中温缓冲层对其中的张应 力释放并不_f分明显。相反，对于镓极性的薄膜，碍模位移明显，加入中温缓 冲层后向低波数移动。与理论模型和应力完全释放的实验数据比较，中温缓冲层 可有效的缓解镓极性氮化镓薄膜中的压应力。 氮化镓薄膜的电学性质表征主要进行了霍尔迁移率(Hall mobility)、噪声谱 (Noise)，持续光电导谱(PPC，Persist Photoconductivity)的测量。所有样品的 载流子浓度相近，在10”量级。实验显示，氮化镓薄膜的极性对霍尔迁移率影响 很大。氮极性样品的霍尔迁移牢只有82cm2V¨s 1，而镓极性的样品达到280 cm2V。s～。引入中温缓冲层后，氮极性样品的迁移率被大大的提高，达到377 cm2V。s～，增加近5倍，而镓极性的样品是430cm2V’1s～，也增加了90％。 欧姆型的金属．半导体接触是按照标准化的印刷曝光技术制备的，并选用 Ti／AI结构作为低接触电阻的金属．半导体接触。电流．电压曲线满足很好的线性关 系，显示金一半接触是很好的欧姆型接触，并且在低温下也非常稳定。 室温和低温的低频电眶噪声谱显示，在低颁下，噪声谱表王见为l／f型噪声， 并月．存在G—R噪声。室温下的噪声谱显示，镓极性的样品比氮极性的样品有更 低的噪声。并且加入中温缓冲层可以使镓极性的样品噪声降的更低。在低温下多