氮化镓粉末和薄备、结构和特性研究.pdfVIP

摘 要 G-aN是一种十分优异的宽带隙ⅡI．V族化台物半导体材料，是当前世界上最 为先进的半导体材料之一，被称为第三代半导体材料。在室温下，由于OaN的禁 带宽度为3．4eV，因此其广泛的应用于高亮度蓝、绿光发光二极管、蓝光激光器 和紫外探铡器等领域，并且还可作为环保新材料应用于环境保护。另外，由于其 具有高的热传导率和低辐射性，因此OaN还可应用于大功率和高温电子器件。由 于GaN材料具有如此多的应用潜力，因此多年来人们竞相对OaN材料的制各技 术和特性进行研究，从而发展起多种制各技术，主要有氯化物气相外延、分子束 外延、金属有机物化学气相淀积等。虽然OaN薄膜的制各技术很多，但要制备出 具有实际应用的、高质量的GaN薄膜却仍然是摆在科研工作者面前的一个重要课 题。这主要是因为当CaN在衬底上生长时，由于在晶格常数与热膨胀系数两方面 存在失配+从而产生大的缺陷密度(_109cm2)，导致器件发光效率降低和寿命变 短。因此在OaN单晶上生长OaN同质外延成为一种发展趋势。一般把升华法和 高压溶液法认为是合成OaN晶体的有效方法，但是这些方法要求高质量和单相的 OaN粉束源作为前体材料。因此直接合成高质量的GaN粉末是当前国际上一项 重要研究课题。 另外．由于OaN材料的稳定性对其在实际应用中的寿命和效率 有着极其重要的影响，因此系统地研究GaN材料稳定性是相当有意义的。 3 获得GaN粉末。将自制的GaN粉末制成靶作为源材料，采用JCK．500型射频磁 控溅射仪在Si(111)和石英衬底上淀积GaN薄膜。所用的射频频率为13．56MHz， 气体．溅射气压为1．1Pa，其中氮分压为O．1Pa，溅射时间为90分钟。为了进一 步改进GaN薄膜的结晶质量，将制备好的GaN薄膜样品置于石英舟上在高温扩 散炉中氮化。待炉温升到设定温度后．把样品放入炉管．先通入99．999％的流动 氮气5分钟，然后通入氮气35min。当氮化完成后，使样品在氮气保护下冷却到 氮化时间一般为10分钟。 含GaN的成分越来越多。在氮化温度为950C时制备的GaN是六角纤锌矿结构 粉末中含有氧和碳在所难免。因此在测量其表面组分时，可以发现氧和碳的存在， 但其所含有的氧是化学吸附氧。GaN粉末的发光是以蓝光发光为主，该发光与电 子在GaN中浅缺陷能级之间的跃迁相联系。在对GaN粉末的表面形貌进行表征 时发现，随氮化温度的增加，样品颗粒的形状发生明显的变化，并且晶粒大小几 乎保持不变。通过TEM图像和相应的选区电子图像表明用该方法合成的GaN粉 末是单晶、棒状的颗粒，其粒径约为150nm。 粉末的最佳条件、样品的结构、表面组分和发光特性几乎是完全一样的。我们首 粉末是类球状而不是类棒状． 此该反应为非自发反应。要想使二者发生发应．必然有中间产物形成。当系统的 N3-所替代，形成GaN。随时问的增长．小晶体长成晶胞。这是微品材料生长的必 要条件。在利用Ga02H制备GaN粉末时，GaN粉末的生长机制与上述生长机制 略有不同，即Ga02H失去H20变成D—Ga203。 虽然GaN的热稳定性和机械稳定性影响着器件的寿命和发光性能，但目前对 GaN稳定性的研究很少，尤其对枫械稳定性的研究至今没有见到相关报道。 GaN粉末在高于200C的空气中是不稳定的。研究发现，GaN颗粒表面在 也不能阻挡GaN颗粒的进一步氧化。当温度达到915(2时，GaN粉末被全部氧化 玎 为D．Ga203。我们把GaN在空气中的氧化称为两步氧化法。GaN粉末的差热实验 表明，该反应为放热反应。 在纯N2气氛中，GaN粉末在低于1110C以下是极为稳定的。当温度大于1116 属Ga和N2。由于金属Ga的沸点高达2200(2以上，因此在很长一段温度范围内- 金属Ga不可能被挥发掉。6aN粉末的差热实验表明。该反应为吸热反应。 我们首次研究了机械力对GaN粉末的稳定性产生影响。当GaN粉末在水中 转变为B．Gaz03。其原因可能是由于高速球磨使GaN颗粒的尺寸变小，表面积增 加，从而使Gab／表面的原子处于较高的活性态。当GaN粉末在水中被高速球磨 时，处于高活性态的原子与H20反应生成Ga02H。 目前，用磁控溅射法制备GaN薄膜多采用Ga203、GaAs和金属Ga作靶。