ULSI多层布线中SiO2介质CMP技术.pdfVIP

维普资讯 第 24卷第 2期 电 了 器 件 Vo1．24．No．2 200]年 6月 JournalofElectronDevices June，200l ULSI多层布线 中SiO 介质 CMP技术① 檀柏梅 ，刘玉岭 (河-~L：Z业 大学徽 电子研 究所 ，天津 300130) 摘要 ：对甚 大规模集成 电路 (ULSI)多层布线 中二氧化硅介质 的抛光机理 、工艺条件选择 抛光浪成分 与作用等进行 了综合分析 ，如何使用化学方法提高抛光速率 、改善表面状况 以及解费金属离子沾污等 问题 及 发展趋 势进行 了综述 ，对现存 的一些难题提 出了改进方案 。 关键诃 ：化学机械抛光 ；全局平面化 ；多层布线 *ULSI；二氧化碳 中田分类 号 ：TN305 文献标识 码 ：A 文 章编 号 ：1005—9490(2001)02--0