雾化施液CMP工艺及实验设备.pdfVIP

第 12卷第6期 江 南大 学 学报 (自然科 学版) V01．12 No．6 2013年 l2月 JournalofJiangnanUniversity(NaturalScienceEdition) Dec． 2013 雾化施液 CMP工艺及实验设备 朱 欠， 李庆忠 ， 王 陈， 刘晓鹏， 钱善华 (江南大学机械工程学院，江苏 无锡214122) 摘 要：针对传统化学机械抛光的平坦化制程 中抛光液使用量大和环保等问题，提出了一种利用 超声波雾化抛光液进行抛光的工艺方法。介绍了试验台架搭建、工艺处理方法、工作原理和抛光工 艺，并与传统化学机械抛光效果进行了比较。研究表明，在表面质量上，雾化工艺能够达到传统化 学机械抛光的量级，其使用量是传统化学机械抛光的1／10。 关键词：化学机械抛光；雾化施液；去除率；表面粗糙度 中图分类号：TN305．2 文献标志码：A 文章编号：1671—7147(2013)06—0698—05 StudyontheProcessandExperimentalEquipmentofAtomizing SlurryAppliedChemicalM echanicalPolishing ZHUBing， LIQing—zhong ， WANGChen， LIUXiao—peng， QIANShan—hua (SchoolofMechanicalEngineering，JiangnanUniversity，Wuxi214122，China) Abstract：Fortheslurryusageandenvironmentalproblemsofthetraditionalchemicalmechanicalpolishing(CMP) planarizationpolishing，weputforwardaprocessingmethodofpolishingslurrybyultrasonicatomization．Itintroduces thetestplatform builtmethod，principleandpolishingprocess，andcompareswiththetraditionalchemicalmechanical polishingeffect．This indicatesthaton the surface quality，the atomization process can achieve the levelof the traditionalchemicalmechanicalpolishingwiththetraditionalCMP 1／10． Keywords：chemicalmechanicalpolishing，atomizingslurryapplied，removalrate，surfaceroughness 化学机械抛光(CMP)是化学反应、机械摩擦、 在线检测、终点检测、清洗、甩干等技术于一体的复 流体动压综合作用的过程，通过纳米级粒子的研磨 杂的加工系统，实现了高度的智能化。但是对于传 作用与抛光液的化学腐蚀作用的有机结合，使被抛 统CMP制造工艺来说，作为消耗原料的抛光液 占 光的工件表面光滑。目前，CMP技术被公认为是最 CMP总成本的40％左右_4J，但抛光液的利用率仅 好的材料全局平坦化方法，它不仅在ULSI芯片多层 达到20％。所以抛光液的过量使用不但造成 Ic成 布线中是不可替代的平坦化方法，也是硅片加工最 本居高不下，而且还造成大量废液的排放造成环境 终获得纳米级超光滑无损伤表面的最有效方法之 污染 引，不利于IC产业向绿色环境友好型的方向 … 一 ，广泛应用于硬脆材料及Ic制程的表面平坦化 发展 。针对传统 CMP存在的问题，通过对供液系统 处理 引。CMP设备作为 IC制造的关键设备之一， 的改进