《集成电路电阻总结(superczy)》.pdfVIP

电阻小结 Superczy（陈征宇） superczy@ 2005.6.1 1 集成电路中电阻的种类 在集成电路工艺中，电阻可以同过很多种方式来实现，电阻主体可以通过不同的层来实 现。通常按照不同的制作方式电阻分为：阱电阻、p+/n+电阻、Poly 电阻、金属电阻，其中 对于 p+/n+电阻和 Poly 电阻还存在硅化和非硅化电阻之分，不同的电阻性能相差较大。 1.1 电阻 Spice 模型 在精确分析电阻时，使用的电阻的非线性模型，这种模型包括：电压非线性、温度特性、 寄生电容[参考###spectreref - Component Statements Part III - Two Terminal Resistor (resistor)]。更精确的电阻模型寄生电容也存在非线性，如电容的电压非线性和 温度特性，这种模型一般用于n well、p+/n+电阻模型，这种模型等效为电阻主体和两个二 极管[参考###spectreref - Component Statements Part III - Physical Resistor (phy_res)]。 电阻非线性模型等效电路如下： 图一 各种电阻的等效模型 其中A对应Terminal Resistor模型,一般用于Poly电阻，B和C对应Physical Resistor模型， 一般用于n well、p+/n+这种用扩散区做得电阻。其中B对应p+和p well 电阻模型，C对应n+ 和n well电阻模型。 电阻主体的非线性计算： 考虑电压非线性和温度系数的话，电阻的计算为： R [Rsh * (L - 2 * etchl) / (W - 2 * etch)] * (1+c1*V +c2 *V 2 +...) *[1+tc1 * (T - tnom) +tc2 * (T - tnom2 )] 其中 Rsh 为方块薄层电阻；etch1 和 etch 分别是电阻实际制作完成后和设计时的理想几 何尺寸 L、W 的差别，etchl 和 etch 分别表示 L、W 的缩减；c1 和 c2 分别为一次电压系数和 二次电压系数，V 是电阻两端的压差；tc1 和 tc2 分别表示一次温度系数和二次温度系数， tnom 表示 model 规定的正常温度。 这样如果不考虑电压非线性和温度时，电阻主体的表达式为 R [Rsh * (L - 2 * etchl) / (W - 2 * etch)] 即方块电阻和长宽比的乘积。 寄生电容的计算： A 中的电容表达式为： C Cj * (L - 2 * etchl) * (W - 2 * etch) +2 * Cjsw * (W +L - 2 * etch - 2 * etchl) *[1+ tc1c * (T - tnom) + tc2c * (T - tnom)2 ] Cj 和 Cjsw 分别是面积和周长相关的电容密度；etch1 和 etch 分别是电阻实际制作完成 后和设计时的理想几何尺寸 L、W 的差别，etchl 和 etch 分别表示 L、W 的缩减；tc1c 和 tc2c 分别表示一次温度系数和二次温度系数，tnom 表示 model 规定的正常温度。 C1 C * cratio C2 C * (1 - cratio) Cratio 是电容分布在 1，2 端的系数。 B、C 中的电容是二极管的寄生电容，除了和温度有关外，还存在电压非线性，[参考 ###spectreref - Component Statements Part II - Physical Resistor (phy_res)]。 如果不考虑非线性的话，电容计算