组成和工艺条件对四元系PZSN陶瓷材料性能的影响.pdf

中文摘要 描电子显微镜(SEM)对合成后材料的晶相、样品表面的显微结构进行了分析观 察。通过研究不同Zr／Ti比对Pr60lJ掺杂PZSN系统性能的影响发现：在960℃合成 温度下，不同锆钛比试样的主晶相均是钙钛矿结构，伴随有少量焦绿石相：同时 随着Zr／Ti比的增加，四方相逐渐向三方相转变；三方相和四方相共存的准同型相 界位于Zr／Ti比为45／43组成附近；同时随着Zr／Ti比的增加，系统的居里温 度降低，介电弥散程度增大；在960。C的预烧温度、1260。C的烧成温度， 保温2h工艺条件下，当Zr／Ti=45／43时，得到综合性能优良的压电材料：介电常 数￡r 系统的SEll、K3l、d3l、￡33r／卧tan8随温度的变化也最为平缓。 此外，通过外加Mn02、Sb203，研究了不同工艺条件对PZSN系统介电、 压电性能的影响。研究结果表明：不同工艺的所有样品均为单一、稳定的纯四方 相钙钛矿结构，以单相形式存在。极化后的晶格常数与极化前的相比，极化后点 阵常数c、a值都有所增加，但c增加的较大，说明四方度略有增加。Mn的引入 造成了c／a的降低。而Sb203的加入使c／a略有增加。一次合成的样品(3#)与分步 合成的样品(4释)相比，后者使得四方度下降。随着烧结温度的升高，晶粒尺寸