半导体二极管基本电路仿真例题及练习.doc

半导体二极管基本电路仿真例题及练习 例1 电路如图所示，图中R=10k?，二极管选用1N4148，且Is= 10 nA，n=2。对于VDD=10V和VDD=1V两种情况下，求ID和VD的值，并与使用理想模型、恒压降模型和折线模型的手算结果进行比较解：进入Schematics主窗口，绘出图所示电路，并设置好参数。其中二极管的Is= 10 nA，n=2要进入模型参数修改窗修改（先选中二极管，再选择菜单中Edit|Model|Edit项，单击Instance Model(Text)可打开模型参数修改窗）。 设置直流工作点分析(Bias Point Detail)，并将参数分析(Parametric)中设置电压源VDD为两个列表值10V和1V。仿真后在输出文件中得到如下结果： 当VDD=10V时，ID = 0.941 mA，VD = 0.589 V 图LT_01 当VDD=1V时，ID = 55.9 uA，VD = 0.441 V 所得结果与手算接近。 例2 一限幅电路如图a所示，R=1k?，对于VREF =3V，二极管及参数仍与例1相同。 （1）试绘出电路的电压传输特性vO = f（vI）； （2）当VI =Vi = 6sin?t（V）时，试绘出VO的波形。 解：设置直流扫描分析(DC Sweep)和瞬态分析(Transient)，得到如图LT_02c、d的结果。图LT_02 (a)可以看出电路对Vi的限幅作用。 (b) 电压传输特性 （c）VI 和VO的波形图LT_02 练习1. 在室温（300k）情况下，若二极管的反向饱和电流为1nA，问它的正向电流为0.5mA时应加多大的电压。二极管采用指数模型，其中IS=10-9A，n=1，VT=26mV。 2. 假设一硅二极管在0.7V的恒压降下运行，当温度在-30℃到50℃之间变动时，求二极管的最大电流与最小电流之比。使用指数模型，其中IS=10-8A，n=2，k=1.38×10-23J/K，q=1.6×10-19 C。 3. 电路如图LT_02a所示，二极管选用1N4148，R=1k?，对于VREF =5V，二极管反接，其参数与例1相同。1）试用PSPICE分析电路的电压传输特性vO = f（vI）； （2）若输入电压vI = vi = 10sin?t（V），求Vo的波形。 4. 试用PSPICE程序对一稳压电路进行仿真，电路如图LX_04所示。要求VO=6V，IO = 20 mA，若输入直流电压Vi =9V，试选用稳压管的型号和合适的限流电阻值，并验算它们的功率定额。(PZM、PR) 图LX_04 5. 如图LT_05所示，设R=100?，RL=100?，VZ=4.7V，试用PSPICE程序作直流扫描分析，观察当VI=0~20V时，VO的变化情况。并确定VI为多大时，电路能正常工作。 图LX_05