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现代电子设计与应用 ASIC设计及VHDL语 言语义、语法和结构 现代电子设计与应用 1、集成电路发展的特点 2、ASIC的设计步骤 3、光刻工艺步骤 4、简述SOC技术与应用概念 5、SOC技术具体应用 6、VHDL发展历史 7、VHDL语言特点 8、VHDL设计举例及语言讲述 1、集成电路发展的特点是什么？ 集成电路的发展特点主要表现在： 特征尺寸越来越小； 芯片尺寸越来越大； 单片上的晶体管数越来越多； 时钟速度越来越快； 电源电压越来越低； 布线层数越来越多； 输入/输出(I/O)引脚越来越多。 2、ASIC的设计步骤是什么？ 一般的ASIC设计步骤分为逻辑设计和物理设计。 1. 逻辑设计 (1) 系统划分： 将一个大系统划分成几个功能块。 (2) 设计输入： 包括VHDL/Verilog语言描述和以电原理图形式输入， 这一步完成将电子系统输入到ASIC设计系统的任务。 (3) 逻辑仿真及综合： 对VHDL输入方式或电路图进行功能和时序仿真。 所谓逻辑综合， 就是把一个高层设计的描述利用某种标准单元库， 按照一定的约束条件转换成优化的门级网表的过程。 (4) 布局前的模拟： 以检查系统功能和时序的正确性。 2. 物理设计 (1) 平面规划： 在芯片上规划各功能块位置。 (2) 布局： 确定功能块中每个单元的位置。 (3) 布线： 在功能块之间和单元块之间进行布线。 (4) 参数提取： 确定各个连接处的电阻和电容参数。 (5) 布局后模拟(后仿真)： 加入布局/布线所增加的各种寄生电学参数之后， 再次检查电子系统能否正常工作， 包括ERC(电学规则检查)和DRC(设计规则检查)， 最终形成版图数据文件， 交生产厂家流片。 3、光刻工艺包括哪几个步骤？ (1) 涂胶： 就是在硅片表面的SiO2薄膜上均匀地涂上一层厚度适当的光刻胶， 使光刻胶与SiO2薄膜粘附良好。 (2) 前烘： 为了使胶膜里的溶剂充分挥发, 使胶膜干燥， 以增加胶膜与SiO2膜的粘附性和胶膜的耐磨性， 涂胶后要对其进行前烘。 (3) 曝光： 将光刻版覆盖在涂好光刻胶的硅片上， 用紫外光进行选择性照射， 使受光照部分的光刻胶发生化学反应。 (4) 显影: 经过紫外光照射后的光刻胶部分， 由于发生了化学反应而改变了它在显影液里的溶解度， 因此将曝光后的硅片放入显影 液中就可显示出需要的图形。 (5) 坚膜: 显影以后， 光刻胶膜可能会因含有残留的溶剂而被泡软、 膨胀， 所以要对其进行坚膜。 (6) 腐蚀： 用适当的腐蚀液将没有被光刻胶覆盖而暴露在外面的SiO2薄膜腐蚀掉， 光刻胶及其覆盖的SiO2薄膜部分则被完好地保存下来。 腐蚀有干法腐蚀和湿法腐蚀两种。湿法腐蚀：二氧化硅(SiO2)与氢氟酸(HF)生成可溶于水的络合物H2(SiF6)，从而使硅片表面的磷硅玻璃溶解，化学反应为：SiO2+ 6HF = H2(SiF6)+2H2O (7) 去胶： 腐蚀完后， 将留在SiO2薄膜上的胶膜去掉。 去胶也有干法去胶和湿法去胶两种。 4、简述SOC技术与应用概念 使用SOC技术设计系统的核心思想，就是要把整个应用电子系统全部集成在一个芯片中。 1）系统功能集成是SOC的核心技术 2）固件集成是SOC的基本设计思想 3）嵌入式系统是SOC的基本结构 4）IP是SOC的设计基础 5、SOC技术具体应用 1、随着EDA的推广和VLSI设计的普及化及半导体工艺的迅速发展，在一个硅片上实现一个更为复杂的系统的时代已来临，这就是System On Chip(SOC)。 2、各种通用处理器内核将作为SOC设计公司的 标准库，和许多其它嵌入式系统外设一样，成为VLSI设计中一种标准的器件，用标准的VHDL等语言描述，存储在器件库中。用户只需定义出其整个应用系统，仿真通过后就可以将设计图交给半导体工厂制作样品。 3、一个系统大部分电路元器件均可集成到一块或几块芯片中去，应用系统电路板将变得很简洁， 对于减小体积和功耗、提高可靠性非常有利。 4、SoC可以分为通用和专用两类。通用系列包括Infineon的TriCore、Motorola的M-Core、某些ARM系列器件、Echelon和Motorola联合研制的Neuron芯片等。专用SoC一般专用于某个或某类系统中，不为一般用户所知。一个有代表性的产品是Philips的Smart XA，它将XA单片机内核和支持超过2048 位复杂RSA算法的CCU单元制作在一块硅片上，形成一个可加载JAVA或C语言的专用的SOC，可用于公众互联网如Internet安全方面。 6、VHDL发展历史 7、VHDL语言特点 1、EDA技术从某种意义上说：学习一种通过软件的方法