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工业催化剂表征 正电子湮没分析技术 主讲教师：李永峰 1 Company Logo 概述 （1）正电子的发现历程 1930年英国物理学家 P.A.M.Dirac 从理论上提出电子有两种，一种 是带负电荷的电子，一种是带正电荷的电子，即首次预言了正电子的存 在。 1932年美国物理学家 C.D.Anderson 首先在宇宙射线中发现正电 子。 1933年英国物理学家 P.A.M.Dirac 获得Nobelprize。 1933年 C.D.Anderson 进一步用γ射线轰击的方法产生了正电子。 1936年美国物理学家 C.D.Anderson 也获得Nobelprize。 2 Company Logo （2）正电子的性质 正电子总是和普通电子成对产生，只是在磁场中弯向不同的方向。 正电子与普通电子具有相同的静止质量和自旋，所带的电荷和电子 的电量相等；不同之处在于电荷是正的，且具有正的磁矩。 正电子比较罕见，只在某些宇宙射线中，或γ射线轰击过程中，或 不稳定同位素的原子核衰变时才会出现；而普通电子较容易发现，在一 切原子的原子核外都可发现。 按照能量高低可以分为： 高能正电子 （ 2 MeV） 低能正电子 （ 2 MeV，用于正电子湮没技术） 3 Company Logo （3）正电子源 正电子湮没技术使用的正电子源多由原子核衰变产生。 22 64 58 Na（t =2.6a）， Cu， Co，。。。 1/2 4 Company Logo 正电子湮没特性 自由正电子湮没规律 正电子只有在没有电子的地方才是稳定的，一旦遇到电子，就会发 生发生湮没而转变为γ光子。 正电子与自由电子湮没时主要辐射出双γ光子，每个γ光子的能量 都是0.511 MeV。 正电子湮没谱的类型 正电子湮没寿命谱 正电子湮没多普勒能谱展宽 双γ湮没辐射角分布 5 Company Logo 正电子湮没寿命 正电子湮没寿命就是正电子从产生至进入样品与其中的电子湮没 “死亡”的平均生存时间。 正电子与自由电子湮没时主要辐射出双γ光子，每个γ光子的能量 都是0.511 MeV。 正电子湮没寿命 τ 决定于样品原子的电子密度。因金属的电子 密度高，所以正电子在金属中的寿命很短（一般为100-500 ps）。 6 Company Logo 正电子湮没寿命谱仪 原理： 22 正电子源 Na放射的正电子入射到测试样品中,同其中的 电子发生湮没,放出γ射线。用1.28 MeV 的γ光子标志正电 子的产生,并作为起始信号,用0.511 MeV 的湮没辐射γ光子 标志正电子的“死亡”，并作为终止信号。两个信号之间的时 间差就是正电子的寿命。 7