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士兰微SVF5N60规格书(最新版)
SVF5N60T/F/D/MJ 说明书
5A、600V N沟道增强型场效应管
描述
2
SVF5N60T/F/D/MJ N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体
管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。
1
先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电
阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 3 TO-252-2L
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换 1.栅极 2.漏极 3.源极
器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。
特点 TO-251J-3L
∗ 5A，600V，RDS(on)= 1.88Ω@VGS=10V
1 1
∗ 低栅极电荷量 2 3 2 3
∗ 低反向传输电容 TO-220F-3L TO-220-3L
∗ 开关速度快
∗ 提升了 dv/dt 能力
命名规则
产品规格分类
产 品 名 称 封装形式 打印名称 材料 包装形式
SVF5N60T TO-220-3L SVF5N60T 无铅 料管
SVF5N60F TO-220F-3L SVF5N60F 无铅 料管
SVF5N60D TO-252-2L SVF5N60D 无铅 料管
SVF5N60DTR TO-252-2L SVF5N60D 无铅 编带
SVF5N60MJ TO-251J-3L SVF5N60MJ 无铅 料管
版本号：1.2 2011.09.13
共10页 第1页
SVF5N60T/F/D/MJ 说明书
极限参数(除非特殊说明，T =25°C)
C
参数范围
参 数 名 称 符号 单位
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