太阳能电池原理与设计.ppt

* UNSW新南威尔士大学 * 4.4.4顶端电极的设计发射区电阻 表层横向电流的大小决定于y和I（y），在两栅条之间的中间点的大小为零，并沿着中间点到栅条的线逐渐增加。计算电流的方程为： I（y）=Jby J为电流强度，b为栅条的长度，而y是两栅条的间隔距离。 终上所述，在1/2单元电池中，顶层阻抗引起的功率损耗为： 式中S同样为两栅间距。 在最大功率输出点，这个区域内的功率为VmpJmpbs/2，则相对功率损耗为： * UNSW新南威尔士大学 * 4.4.5顶端电极的设计接触电阻 接触电阻损耗发生在硅电池与金属电极的交界处。要降低接触电阻的损耗，就必须对n型层的顶层进行重掺杂。然而，重掺杂水平也会引起不良后果。即如果高浓度的磷被扩散到硅中，当温度下降时，多余的磷会被析出电池表层，形成一层“死层”，在这层中光生载流子的收集几率非常低。许多商用电池因为死层的出现而导致对蓝光的响应很差。因此，解决的办法是，对金属电极的下面部分进行重掺杂，而表层的其余部分则需控制在一个平衡值，也就是在获得低发射区饱和电流和高发射区扩散长度之间达到平衡。 顶端金属电极 金属与硅界面的高接 触电阻 对界面重掺杂以减小接触电阻。 N型发射区 * UNSW新南威尔士大学 * 4.4.6顶端电极的设计