杂质能级上的电子和空穴..pptVIP

一、杂质能级上的电子和空穴 对于Ge、Si和GaAs： gA=4 gD=2 施主浓度:ND 受主浓度: NA：（1）杂质能级上未离化的载流子浓度nD和pA ： 反映的是杂质能级与费米能级的相对位置 若ED - EFk0T，施主能级远在费米能级之上， 2exp[-(ED-EF)/k0T]趋近于0，及nD+=ND； 若ED=EF，施主能级接近费米能级。 则，nD+=(1/3)ND， 三分之一的电子电离。 若EDEF，施主能级低于费米能级，电离浓度很少。 同理，受主：EA越低(受主能级越接近价带顶)电离的受主杂质密度越大。 ED对载流子浓度的影响 EF对杂质电离的影响 分析上两式，EF越高，电子占据施主能级的几率fD(E)越大，电离的施主浓度就越小，提供给导带的电子浓度就越少。 Schematic diagrams of n, Ef with T 结果讨论： 去掉高级项 显然：n0》p0，这时的过渡区接近于强电离区。 少子数量虽难很少，但在半导体器件的工作 中起很重要的作用。 多数载流子（多子） n0 少数载流子（少子） p0 （3）高温本征激发区 ND 0 T n ni Note: 掺杂浓度高， 达到本征激发 的温度就高。 室温就可达到 如 如 T=800K 温度太低，载流子浓度随温度变化很大且浓度太低，电阻率较高而且随温度变化很大，因此器件工作不稳定。 温度太高，本征激发掩盖了杂质电离，载流子随温度变化也很大，电阻率很低而且随温度变化也很大，由于绝大部分的电子器件是以二极管或三极管为基本工作单元的，温度太高或太低都会使PN结消失，性能不稳定，使得器件无法实现原来设计的功能。 要使器件稳定可靠地工作，一般要使器件工作在随温度变化时，载流子浓度变化不大且较高的饱和电离区。 4.5 饱和电离区的范围 2. P型半导体的载流子浓度和费米能级 (1) 低温弱电离区 (2) 饱和电离区 po=NA，no=ni2/NA (3) 过渡区 T↑，EF↑ (4)本征激发区 定性讨论： 杂质半导体载流子浓度和费米能级由温度和杂质浓度决定。对于杂质浓度一定的半导体，随温度升高，载流子以杂质电离为主过渡到以本征激发为主。相应地费米能级从位于杂质能级附近移到禁带中线处。费米能级既反映导带类型，也反映掺杂水平。 EF EF EA 强p型 （a） EF EF Ei （b） （c） （d） （e） p型 本征 n型 强n型 EF ED 实际计算中注意点： 计算掺杂半导体的载流子浓度时，需首先考虑属于何种温区。 一般：T：300K左右，且掺杂浓度＞＞ni 属于饱和电离区 N型：no=ND—NA 或 no=ND P型：po=NA—ND 或 po=NA 三、工作温区的确定 1.??已知工作温度(Tmin—Tmax)确定掺杂范围(ND)min—(ND)max ?由Tmax确定(ND)min ● 根据Tmax，由lnni ~1/T曲线查出 Tmax对应的ni；（图3－7，或表3－2） ● 根据ni的公式计算出Tmax所对应的ni； 最小掺杂浓度比ni 多一个数量级 由Tmin确定最大掺杂(ND)max： 要达到全电离，要求ED＞＞EF ，即EF下降到ED 以下若干个kT。 在强电离区： (3-48) 一般：D-=0.1，达到全电离。 在一定温度下，NC 和△ED 可知 可求出全部电离 杂质浓度的上限 例：计算工作温度在室温到500K的掺P的 Si半导体的施主浓度范围。 工作温区对应于强电离区 Tmin=300K，Tmax=500K 1、室温时：NC=2.8×1019/cm3，△ED=0.044ev (ND)max=3×1017/cm3 (ND)min=10ni(500K) 查表得：T=500K时，ni=5×1014/cm3 (ND)min=5×1015/cm3 §3.5 一般情况下（即杂质补偿情况）的载流子统计分布（自学） 一般求解方法： §3.6 简并（重掺杂）半导体 （理解） 一、简并半导体的载流子浓度 一般NC＞ND ，或NC＞ND－NA ，因而费米能级在导 带EC 之下，在禁带之中。如EF 进入导带或价带，说 明掺杂很高，还有导带底或价带顶的量子态被电子或 空穴占据。考虑泡利不相容原理，用费米分布函数。 N 半导体处于饱和区时，其费米能级为： 1、EF位于导带中 EF非常接近或进入导带时，Ec-EF＞＞k0T的条件 不满足，导带电子浓度必须用费米分布求解。 其中： 费米积分 （J为整数和半整数） ξ -4 -3