SiGe HBT的Mextram 504模型温度参数提取与模型改进.pdfVIP

维普资讯 第 29卷 第 5期 半 导 体 学 报 VO1．29 NO．5 2008年 5月 JOURNALOFSEM IC0NDUCTORS May，2008 SiGeHBT的Mextram 504模型温度 参数提取与模型改进 任 铮 胡少坚 蒋 宾 王 勇 赵宇航 (上海集成 电路研发中心，上海 201203) 摘要 ：针对 IMEC0．13Fm准 自对准 SiGeBiCMOS工艺制成 的基 区Ge组分二阶分布结构 SiGe异质结双极晶体管，在25 ～ 125℃温度范围内，对其进行了包括 Early电压 ，Gummel图形等在内的完整双极晶体管特性 曲线测量 ，提取 了该器件在 25～125℃范 围内的温度可变 Mextram 504模型参数 ．在此基础上 ，为 Mextram 504模型对 0．13Fm基区Ge组分二阶分布 SiGe异质结双极晶体管探索了完整的模型提取方案．提出了对Mextram504模型温度参数提取方法的改进，优化了提取 流程．对 SiGe异质结双极晶体管雪崩 电流受温度影响的特性进行了讨论，为Mextram模型提出了雪崩外延层的有效厚度 的温度变化经验公式和新的雪崩电流温度变化参数，提高了Mextram模型对不同温度下 SiGe双极型晶体管进行模拟仿 真的精确度． 关键词 ：Mextram模型；0．13Fm锗硅工艺；异质结双极晶体管；参数提取 PACC：7340Q EEACC：2530N；2560B；2560Z 中图分类号：TN386．1 文献标识码 ：A 文章编号 ：0253．4177(2008)05．0960—05 Early电压同时能够保持足够高的电流增益和发射区渡 l 引言 越时间．图 1给出了本文 SiGeHBT的剖面结构示意 图．图2显示了它的基区组分剖面，SiGe层采用两步生 SiGe技术是驱动诸如数字无线手机等低价、轻便 长 SiGe法生成．其 中低 Ge组分 台阶 Ge组分 比例为 的通信器材以及数字机顶盒、卫星直播 、PDA等信息科 8％，高 Ge组分台阶比例为 15％，采用 比利时 IMEC 技产品迅猛发展的强大力量 ．它的技术核心是锗硅异质 0．13t~mquasi—self—aligned(QSA)SiGeBiCMOS工艺 结双极晶体管(以下简称 SiGeHBT)，这种器件的高速 制成 ，发射极长宽为0．13Fm／2Fm． 特性使得它在通信 电路应用尤其是射频电路方面表现 出众．Mextram 模 型从双极 晶体 管模 型 的工业标准 3 Mextram模型温度参数的提取方法 Spice．Gumme1．Poon模型基础上发展而来 ，是 目前业界 应用最为广泛的一种针对双极型晶体管的先进紧凑模 用于提取 Mextram温度可变模型参数的电学特性 型 ，它提供了对 SiGeHBT的支持．在 目前领先的锗硅 测量包含了对同一 SiGeHBT在不同温度下的测量数 工艺节点对 SiGeHBT进行 Mextram模型的参数提取 据(本文的温度测量 范围为 25～125~C共 5组)．传统 与优化进行探索性研究，对于高频集成 电路设计开发有 Mextram模型温度参数提取方法依据同一电学参数在 着非常重要的意义和广泛的应用价值． 2 基区Ge组分二阶分布结构 SiGeHBT 常见的SiGeHBT基区结构为基区Ge组分不变的 箱型结构与基区Ge组分纵向缓变结构 ]．采用基区Ge 组分缓变结构的SiGeHBT基区内的Ge缓变层将产生 一 个方向由集电极指向发射极的电场 ，从而提高流经基 区的少子漂移速率，减小基区