非晶矽薄膜太陽能電池之研製-建國科技大學.docVIP

非晶矽薄膜太陽能電池之研製 黃勝斌 江承翰 建國科技大學電機工程系暨研究所 sbhwa@ctu.edu.tw 摘要 本文主要研究目的是以電子迴旋共振化學氣相沈積系統(ECR-CVD)在銦錫氧化物(ITO)玻璃基板上沉積非晶矽薄膜太陽能電池。使用各種不同參數沉積的非晶矽薄膜，經由分析其光電特性，再製成非晶矽薄膜太陽能電池。在4%的SiH4濃度、基板温度為250℃和微波功率為250W時，本質層非晶矽薄膜的光學能隙約為1.87eV，暗電阻ρD大於1010(Ω-cm)且光/暗電導率之比值大於104。以AM1.5標準光源太陽能效率測量p-i-n結構非晶矽薄膜太陽能電池，探討p層摻雜以及i層厚度對開路電壓(Voc)、短路電流(Jsc)、填充係數(FF)以及能量轉換效率(η)之影響。實驗結果顯示，當p層以0.5%的B2H6摻雜，i層厚度300nm時，可得p-i-n非晶矽薄膜太陽能電池的Voc=0.84V、Jsc=10.17mA/cm2、FF=0.51、η=4.4%。 關鍵字：電子迴旋共振化學氣相沉積、非晶矽薄膜、太陽能電池 Abstract：The hydrogenated amorphous silicon(a-Si:H) thin film solar cells are prepared on ITO glass substrate by electron cyclotron reson