硼掺杂与cds子点复合tiolt;,2gt;纳米管阵列及其光催化性能.pdfVIP

摘 要 本文使用元素掺杂和半导体复合两种方法对有序Ti02纳米管阵列进行修饰，从而 达到提高本有序Ti02纳米管阵列的光电化学性能和光电催化性能。本文第一次以电沉 积的方法制备了硼掺杂有序Ti02纳米管阵列。用阳极氧化法制备有序Ti02纳米管阵列， 然后在硼酸溶液中通过控制不同的电沉积时间得到不同硼掺杂量的Ti02纳米管阵列。X 一射线光电子谱测试表明硼元素进入到Ti02纳米管的晶格中并且与钛元素和氧元素结 合形成化学键；X．射线衍射谱表明在相同的焙烧温度条件下硼掺杂”02纳米管阵列的 结晶度有所增强；硼掺杂Ti02纳米管阵列光谱吸收性质用紫外一可见漫反射吸收光谱 表征，发现不同硼掺杂量的Ti02纳米管阵列相对于未掺杂样品的吸收边带发生不同程 度的红移，并且在380纳米至510纳米波长区域产生不同强度的第二吸收峰；硼掺杂 Ti02纳米管阵列在紫外光、可见光区辐射时的光电流相对于未掺杂样品有不同程度的增 强；在用短弧氙灯作为光源模拟太阳光辐射，并伴随0．4V偏压的条件下，硼掺杂Ti02 纳米管阵列相对未掺杂Ti02纳米管阵列对苯酚的光电催化降解速度有不同程度的增加。 本文中第二种Ti02纳米管阵列的修饰方法为CdS量子点复合。透射电子显微镜表 明通过连续离子层吸附反应法得到了CdS量子点复合Ti02纳米管阵列。进一步改进的 连续离子层吸附反应法，使CdS量子点的晶体生长速率大幅增加从而缩短了反应时间。 对制备条件进行了系统的考察，例如浸渍循环次数以及焙烧温度对CdS量子点复合Ti02 纳米管阵列的光电化学性能的影响，并且讨论了制备条件对所得到的CdS量子点复合 Ti02纳米管阵列的影响机理。 关键词：有序TiO：纳米管阵列；硼元素掺杂；电沉积法；CdS量子点复合；连续离子层 吸附反应法； ． Theboron andCdS dots on nanotube Ti02 doping quantumcoating arrays andtheir photOelectrocatalyticactiVity Abstract IIl this elementandsemiconductorare asmodification paper，the doping coatingadopted for to increased methods or Ti02的notubearraysgct photoelectrochemical property for to Irlethodthefirsttimeis photoelcct眦atalysisadivity．Electrodeposition applied f曲爪ate n猢tube Ti02 amys． boron—doped X-rayphotoelectronspectroscopy(xPS) reveal Batomsinthelatticeofa n柚otllbe combined analysisincorporated