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如果 A=B=0 (0V, 逻辑低), D1 和 D2 都截止, F=0 (逻辑低); D1 D2 A B R F 0V 如果 A=1 (逻辑高), D1导通, F = 1 (逻辑高). (减0.7V仍为高电平) 如果B=1、或 A=B=1 原理相同, F = 1 (逻辑高). 2.4.3 二极管或门 分立器件 缺点：电气特性不如集成电路，抗干扰能力、带负载能力不足 集成门电路 优点：体积小、可靠性高、寿命长、速度快、成本低、功耗小等 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors 金属氧化物半导体场效应管（MOS) 功耗低 Transistors-Transistors-Logic 三极管-三极管-逻辑（TTL） 速度快 集成电路 单极型 双极型 逻辑门电路的分类 二极管门电路 三极管门电路 TTL门电路 MOS门电路 PMOS门 CMOS门 分立门电路 集成门电路 NMOS门 逻辑门电路 §2.5 TTL 集成门电路 Transistors-Transistors-Logic 三极管-三极管-逻辑 与非门真值表 0 0 0 1 1 0 1 1 A B F 1 1 1 0 T1: 两个发射极 (多发射极) 两个发射极-基极结点. 只要A 、 B之一是逻辑低, 输出F 高 A 和 B都高，输出F低 R2 1.6K F D3 R1 4K R4 130 R3 10K T1 T4 T5 T2 B A +5V 电路 §2.5.1 TTL 与非门 入端有低的情况 只要A、B有一个低, 电流会从电源，通过 R1 和 T1 流向地。 ∴T2 截止, T5 截止 这个电压太低，不足以打开 T1bc 、T2be 和T5be 。 R2 1.6K F D3 R1 4K R4 130 R3 10K T1 T4 T5 T2 B A +5 Ii Vb1=0.7V 通过 T1， Vb1 的电压被钳制在0.7V。 真值表的前三行 等价电路: 现在 输出 F = 5 - 0.7V - 0.7V = 3.6V 结论：只要有一个输入低，则输出为高。 T4 D3 +5 F T2 T5 Vb4 = 5V T4be D3 典型高电平 输入都为高 3.6V 输入 A 和 B 都是 3.6V, ∴ T2, T5 导通 电流从电源, 经过 T1,T2 和 T5 到地。 R1 R2 R3 R4 T2 T4 T5 D3 F A B T1 +5 3.6V 4.3V 足以打开T1bc , T2be 和 T5be. Vb1 T1 导通 , Vb1 钳制在 4.3V (=3.6+0.7). 真值表的第四行 等价电路: 输出 T5饱和压降 结论：输入高， 输出低 实现“与非”功能: T4 D3 T4, D3 截止 T2 和 T5 导通, Vb1 = 2.1V Vb1 = 2.1V Vb4 = Vbe5 + Vce2 = 0.7 +0.3 = 1.0V Vb4 不够正向偏置电压 T4be 和 D3 Vb4 F T1 +5 T5 T2 理想的TTL与非门电压特性如下: 现在我们来分析，当输入电压VT =1.4V 时，输入电阻的大小 Vo VOH OFF VOL ON Vi VT 0.3V 3.6V Ri VRi T4 T2 T5 T1 R5 D3 +5 Vo T6 Vi 4k R6 输入电阻 Ri VRi = Vi 门坎电压时的 Ri RT : 门坎电阻 输入电阻 Ri T4 T2 T5 T1 R5 D3 +5 Vo T6 Ri VRi Vi 4k R6 =1.4V (VT) Ri RT , 等价于输入逻辑低 (0) Ri RT , 等价于输入逻辑高 (1) Ri 对地悬空,电阻无穷大（∞），逻辑1 如果Ri小，VRi低，则对应于输入逻辑低 如果Ri大，VRi高，则对应于输入逻辑高 例: A B 5K 5V X 400Ω 5V X 400Ω 5V 1 0 1 1 1 : 门槛电压 ，VT =1.4V Vi 悬空 Vi = 1 输入 Vi Vi 1.4V 相当于Vi = 0 Vi 1.4V 相当于 Vi = 1 A B F1 A B F3 A B F2 5V F1 = 1 0 1 1 1. TTL 反向器 §2.5.2 其他类型TTL门电路 TTL 非门电路与 TTL 与非门电路几乎相同。 2. 或非门 CC V 1 R 1 R 2 R 4 R 3 R 1 T