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SSM495 CV 的原理及应用 2013.5.21 汞-肖特基二极管 CV 1.汞-肖特基二极管 C-V 1.1汞-肖特基二极管 C-V的应用 1.2汞-肖特基二极管 C-V的原理 1.3汞-肖特基二极管 质量判定 1.4 ASTM（美国材料试验协会）表面处理 1.5 测试系统的校准 1.6汞-肖特基二极管的局限和SPC 1.1汞-肖特基二极管 C-V的应用 快速呈现外延层的电阻率分布 非破坏性测试 n型电阻率测试范围：0.1 -100Ω.cm；p型电阻率测试范围：0.24 -330 Ω.cm 1.2汞-肖特基二极管 C-V原理 1.2.1 肖特基测试模型 p型测试电压为：+；n型测试电压为：- 在半导体表面接触金属便形成一个简单的肖特基二极管 在金属层下面形成的耗尽区就可以充当一个电容 1.2汞-肖特基二极管 C-V原理 1.2.1 肖特基二极管内部电势变化 1.2汞-肖特基二极管 C-V原理 1.2.1 肖特基电容的形成 A : 金属-半导体接触面积 Ks: 半导体介电常数 : 真空绝对介电常数 W : 耗尽区宽度 V ↑,W ↑,C↓ 1.2汞-肖特基二极管 C-V原理 1.2.2 肖特基二极管C-V曲线（p型） 电阻率纵向均匀分布的曲线（外延层） 电阻率纵向分布不均的曲线 1.2汞-肖特基二极管 C-V原理 1.2.3 电阻率计算方法 载流子浓度通过 1/c2 vs V 曲线计算获得： 电阻率的推断算法: 美国材料试验协会研究的ASTM F723-82文件（电阻率大小和载流子浓度高低的一一对应关系）用于载流子浓度到电阻率的转换 1.2汞-肖特基二极管 C-V原理 1.2.4 电阻率的测试过程 肖特基二极管的形成 测试 C-V 曲线 计算机转化为1/C2-V曲线 载流子浓度 电阻率 ASTM F723-82 1.3 肖特基二极管质量判定 1.3.1 肖特基二极管质量界定方法 串联电阻 相角 扩散电势 1.3肖特基二极管质量判定 1.3.2 串联电阻 串联电阻的大小由所测的电容以及电导决定：: Rs 表明在肖特基与电容计之间存在着一个高电阻路径 大多数情况下, Rs 应该小于250 ohms. 否则, 可能影响测试结果 1.3肖特基二极管质量判定 1.3.2 串联电阻 导致高串联电阻的原因: 高电阻率的材料—材料自身引起的大电阻 硅片表面的有机污染物—导致汞和硅片表面之间产生大电阻 硅片和测试台之间的接触不良– 也许是测试台吸住硅片的真空较低导致, 或者是硅片背面有损伤或者有颗粒物产生的漏隙所致 1.3肖特基二极管质量判定 1.3.3 相角 1.3肖特基二极管质量判定 1.3.3 相角 总电流是由ssm42电容计对肖特基二极管施加15mv（f=0.9216mhz或100khz）的正弦交流电压测得，其值为并联电阻上的电流与肖特基上的位移电流的矢量和. 相角低于87°表明肖特基二极管质量不合格，会影响测试结果. 低相角靠近开始电压表明表面处理不合格. 低相角靠近停止电压可能发生了雪崩击穿.（停止电压需设置在一个比较安全的范围） 1.3肖特基二极管质量判定 1.3.4 扩散电势 扩撒电势: 1/C2-V 曲线与V轴的截距. n型片在1左右, p型片在-1左右. 由于有机物的污染、表面的氧化产生的界面将导致1/C2-V 曲线向右平移，从而表明表面处理不合格. 1.4 ASTM 表面处理 N-Type 10:1 HF（氢氟酸）的溶液中浸泡10秒 去离子水（ DI water ）冲洗10分钟 在 90℃的双氧水（H2O2）中煮10分钟 去离子水（ DI water ）冲洗（冷却）10分钟 用干燥的氮气（ N2 ）吹干 P-Type 10:1 HF（氢氟酸）的溶液中浸泡10秒 去离子水（ DI water ）冲洗10分钟 用干燥的氮气（ N2 ）吹干 1.4 ASTM表面处理 N-type 通过在表面生长10-20A 的氧化层以增强表面的扩散电势. P-type 由于表面受主态的影响会降低表面的扩散电势. 因此，表面受主态的中和十分重要 .氢离子会很有效的中和表面受主态. 1.5 系统校准 肖特基校准由两个参数值决定: Ccomp: 补偿电容 Aeff: 有效的电接触面积 一个不准确的有效接触面积（Aeff）会向上或向下平移载流子浓度曲线，从而导致载流子浓度值的错误. 一个不准确的补偿电容（ Ccomp ）会导致载流子浓度曲线产生明显的斜坡（ Ccomp 偏小向上倾斜，反之向下倾斜），从而出现曲线不平的情况. 1.5.1 概述 1.5系统校准 1.5.2