1-集成电路设计概述精品.pptVIP

芯片，现代社会的基石 集成电路 Integrated Circuit ，缩写IC IC是通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容、电感等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体晶片（如硅或砷化镓）上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能的一种器件。 各种封装好的集成电路 集成电路中几个重要的参数 特征尺寸： 集成电路器件中最细线条的宽度，对MOS器件常指栅极所决定的沟导几何长度，是一条工艺线中能加工的最小尺寸。反映了集成电路版图图形的精细程度，特征尺寸的减少主要取决于光刻技术的改进（光刻最小特征尺寸与曝光所用波长）。 硅园片直径： 考虑到集成电路的流片成品率和生产成本，每个硅园片上的管芯数保持在300个左右。 现代集成电路发展的特点： 特征尺寸越来越小（45nm） 硅圆片尺寸越来越大（8inch~12inch） 芯片集成度越来越大（2000K） 时钟速度越来越高（ 500MHz） 电源电压/单位功耗越来越低（1.0V） 布线层数/I/0引脚越来越多（9层/1200） 集成电路的发展 IC在各个发展阶段的主要特征数据 Intel 公司第一代CPU—4004 Intel 公司CPU—386TM Intel 公司最新一代CPU—Pentium? 4 1.2 集成电路的分类 器件结构类型 集成度 使用的基片材料 电路的功能 应用领域 一、按器件结构类型分类 1、双极集成电路 通常由NPN和PNP两种类型的双极性性晶体管组成， 优点：速度快，驱动能力强 缺点：功耗较大，集成度低 2、金属-氧化物-半导体(MOS)集成电路： 主要由MOS晶体管构成 ，包含NMOS和PMOS中的一种或两种类型 优点：输入阻抗高，功耗低，抗干扰能力强且适合大规模集成 CMOS：包含互补的NMOS和PMOS两类器件，静态功耗几乎为零，输出逻辑电平可为高低电源电压、上升和下降时间处于同数量级（广泛应用，成为当前集成电路的主流之一） 3、双极-MOS(BiMOS)集成电路： 是同时包括双极和MOS晶体管的集成电路。综合了双极和MOS器件两者的优点，但制作工艺复杂。 管芯中大部分采用CMOS，外围接口采用双极型Bipolar，做到功耗低、密度大，电路输出驱动电流大 全定制方法（Full-Custom Design Approach） 半定制方法（Semi-Custom Design Approach） 定制法 可编程逻辑器件（PLD：Programmable Logic Device）设计方法 一、全定制方法 全定制集成电路（Full-Custom Design Approach） 适用于要求得到最高速度、最低功耗和最省面积的芯片设计。 即在晶体管的层次上进行每个单元的性能、面积的优化设计，每个晶体管的布局/布线均由人工设计，并需要人工生成所有层次的掩膜（一般为13层掩膜版图）。对每个器件进行优化，芯片性能获得最佳，芯片尺寸最小。 全定制集成电路 优点： 所设计电路的集成度最高 面积利用率高，速度快，功率低 产品批量生产时单片IC价格最低 可以用于模拟集成电路的设计与生产 缺点： 设计复杂度高/设计周期长 费用高 应用范围 集成度极高且具有规则结构的IC（如各种类型的存储器芯片） 对性能价格比要求高且产量大的芯片（如CPU、通信IC等） 模拟IC/数模混合IC 二、半定制方法 半定制集成电路（Semi-Custom Design Approach）——即设计者在厂家提供的半成品基础上继续完成最终的设计，只需要生成诸如金属布线层等几个特定层次的掩膜。根据需求采用不同的半成品类型。 半定制方法 半定制的设计方法 分为门阵列（GA：Gate Array）法和门海（GS：Sea of Gates）法两种： 门阵列（GA：Gate Array） 有通道门阵列：就是在一个芯片上将预先制造完毕的形状和尺寸完全相同的逻辑门单元以一定阵列的形式排列在一起，每个单元内部含有若干器件，阵列间有规则布线通道，用以完成门与门之间的连接。未进行连线的半成品硅圆片称为“母片” “母片”的示意图： 门 海 门海（SOC：Sea-of-Gate） 无通道门阵列：也是采用母片结构，它可以将没有利用的逻辑门作为布线区，而没有指定固定的布线通道，以此提高布线的布通率并提供更大规模的集成度。 门海设计技术是把由一对不共栅的P管和N管组成的基本单元铺满整个芯片（除I/O区外），基本单元之间无氧化隔离区，布线通道不确定，宏单元连线在无用器件区上进行。 门海示意图 三、定制方法 定制法包括： 标准单元（SC：Standard Cell）