3-3双极型晶体管精品.ppt

3、大注入对电流放大系数的影响 电流较大时，电流放大系数随电流增加而明显下降; 随注入的进一步增大而线性下降。 p 在分析晶体管的直流特性时，有： 当基础宽度很窄时，载流子分布用线性分布近似，分布梯度为： 发射结电流为： 对于均匀基区晶体管中，当 时，载流子分布可用线形分布近似，那么体复合电流为： 显然，在大注入的条件下，电流复合项随着 的增加而下降： 原因：随着 增加，复合电流在传输电流中的比例减小；当 时，传输电流中的漂移分量和扩散分量相等，使电流复合项下降为小注入时一半，主要因为由于大注入导致自建电场的存在，使的电子穿越基区的时间缩短一般，复合几率下降， 。 反向注入电流 因此发射项为： 简化后： 当大注入的条件下： 讨论： 当电流增大时，注入边界的浓度 增大，因而发射效项 随着 的增大而增大，则晶体管的发射效率下降，这是基区电导调制效应造成的。 当 时 当注入的电流增大到基区输运系数的增加和发射效率的下降相互抵消时， 最大。 总体效果 下降 大注入对基区渡越时间的影响 已知： 小注入载流子分布： 大注入载流子分布： 3.6.2 基区扩展(Base pushout)效应——原因2 1、大电流对集电结空间电荷区电场变化的影响 集电结的电压降 底 电流增大 基区电荷区缩小 集电区电荷区向衬底扩大 High collector current effect 结构 移到衬底 基区缩小 很窄 Kirk effect 扩展并偏移 小注入 注入与掺杂相比不能忽略 大注入 集电区不能形成空间电荷区 通过集电区的电流密度为： 当 ，此时对应的集电区的电流密度称为集电区的临界电流密度 集电区的电子平均漂移速度 随着集电极电流的增加，负空间电荷区变的很薄，基区的厚度几乎等于P区的厚度。当集电区的电流大于集电区临界电流的时候，将发生基区扩展效应。 2、基区纵向扩展效应 当通过集电区的电流大于集电区的临界电流密度的时，集电结空间电荷区往衬底方向移动，使有效基区宽度Wb增大; 放大系数 和特征频率 都增加。 弱场——集电区的电流密度大于集电区临界电流密度，但载 流子的漂移速度随电场的增加而 增大 电场区便向衬底方向收缩而变窄 使有效基区宽度增大 电流增大 衬 底 有效基区宽度Wb增大; 放大系数 和特征频率 都增加。 强场 ——电场分布不均匀，载流子的速度达到极限，不随 电场的增加而增大 集电区电场往衬底方向收缩而变窄 电流增大 基区横向扩展效应 电子流沿基区横向散开 相当于有效基区Wb增大 衬 底 3、基区的横向扩展效应 假定集电结有临界电流： 当 时，注入基区的电子流必将沿基区的横向（平行结的方向）展开。电子通过基区的路程加长了，相当基区宽度增加，放大系数和特征频率下降。 4、基区的扩展效应对晶体管特性的影响 放大系数： 基区的渡越时间： 特征频率 发射极电流集边效应——基区电阻自偏压效应 大电流下工作 集中在发射结边缘部分 C 衬底 柱面状 基区宽度很窄 是由基区电阻引起 电流越大，发射极电流集边效应越显著。 3.6.3 发射极电流集边效应——原因3 原理： 发射结有效条宽 发射结电流集边效应的结果是减少了发射结的有效面 积；使得 集电区的电流密度就达到临界值，使放大系数和 特征频率下降。为了克服该现象，关键在于减小发射结下 面基区的电阻，即减小发射结的条宽。 基极电流是平行于结面横向流动的多数载流子复合电流，基极电流流过基极电阻时产生横向压降，将使发射结的电流密度和基区电流密度分布不均匀。 发射结的有效条宽：规定从发射中心到边缘，基区的横向的压降变化为 ，并用 表示， 为简化求解的过程，将基区电流密度近似为线性分布 E B B C E的中心 Seff 有效半条宽 对应的方程为： 即可得： 在基区 截面内的基极电流为 将上式进行积分可得到基区中 处的基极电流为： 基极电流 在 距离上产生的电压降为： 由此可得到发射极有效条宽： 通常为使