半导体物理学Chapter精品.pptVIP

半导体物理学 理学院物理科学与技术系 第六章 pn结 6.1 pn结及其能带图 6.2 pn结电流电压特性 6.3 pn结电容 6.1 pn结及其能带图 1、pn结的形成和杂质分布 6.2 pn结电流电压特性 6.3 pn结电容 引起上述差别的主要原因有： 以下重点B和C A表面效应； B势垒中的产生与复合； C大注入条件； D串联电阻效应。 B 势垒中的产生和复合 （1）势垒区的产生电流 pn结处于热平衡状态时，势垒区内通过复合中心的载流子产生率等于复合率。pn结加反向偏压时，势垒区内的电场加强，所以在势垒区内，产生率大于复合率，具有净产生率，形成一部分反向电流，称为势垒区产生电流。 （2）势垒区的复合电流 在正向偏压下，从n区注入p区的电子和从p区注入n区的空穴，在势垒区内复合 了一部分，构成了另一股正向电流，称为势垒区复合电流。 由复合得到的电流密度为： 总的正向电流密度应为扩散电流密度及复合电流密度之和， 由上式看出： 1 正向电流密度由两项构成，总的来说 2 扩散电流和复合电流之比与外加电压V有关； 3 复合电流减少了pn结中的少子注入，这是三极管的电流放大系数在小电流时下降的原因。 C 大注入情况 通常将正向偏压较大时，注入的非平衡少子浓度接近或超出该区多子浓度地区情况，称为大注入情况。下面以p＋－n结为例进行讨论。 P+-n结的正向电流主要是从p+区注入到n