模拟电子技术基础讲稿.pdfVIP

模拟电子技术基础 ♦ 第一章 晶体二极管 ♦ 第六章 反馈 及其基本电路 ♦ 第七章 模拟集成电 ♦ 第二章 双极型晶体 路系统 管及其放大电路 ♦ 第八章 功率电路及 系统 ♦ 第三章 场效应管及 其基本电路 ♦ 第九章 正弦波振荡 电路 ♦ 第四章 集成运算放 ♦ 第十章 调制、解调 大器电路 ♦ 第十一章 D/A和A/D ♦ 第五章 频率响应 转换 第一章 晶体二极管及其基本电路 ♦1-1 半导体物理基础知识 ♦1-2 PN结 ♦1-3 晶体二极管及其基本电路 1-2 PN结 1-2-1 PN结的形成 1-2-2 PN结的单向导电特性 1-2-3 PN结的击穿特性 1-2-4 PN结的电容特性 1-2-5 PN结的温度特性 1-2-3 PN结的击穿特性 ♦ 当反向电压超过UBR后稍有增加时，反向电流 会急剧增大，这种现象称为PN结击穿，U 称 称为PN结击穿 BR 为PN结的击穿电压。 击穿电压 i ♦ 雪崩击穿 T ♦ 齐纳击穿 -UBR 0 u T 图1-11 PN结的伏安特性 雪崩击穿 条件：1. PN结反偏； 2. PN结轻掺杂； 过程：耗尽区较宽，少子漂移通过时被加速，动 能↑，被加速的少子与中性原子的价电子相碰 撞，产生新的空穴、电子对。新的空穴、电子 对被电场加速后，又会撞出新的空穴、电子 对，形成连锁反应，使耗尽区内的载流子数剧 增，从而引起反向电流急剧增大。其现象类似 于雪崩，所以称为雪崩击穿。 称为雪崩击穿 齐纳击穿 条件：1. PN结反偏； 2. PN结重掺杂； 过程：耗尽区很窄，不大的反向电压就可能在耗 尽区内形成很强的电场，它足以将耗尽区内中 性原子的价电子直接拉出来，产生大量的空穴 电子对，使反向电流剧增，这种击穿称为齐纳 称为齐纳 击穿或场致击穿。 击穿或场致击穿。