半导体异质结二电子气的磁输运特性研究.pdf

摘 要 摘 要 半导体异质结二维电子气的磁阻振荡是由电子的量子效应引起的，反映朗道 能级态密度在费米面处的变化。通过磁输运(Transport)测量来研究二维电子气 的磁阻振荡，可以获得丰富的材料电学特性以及电子子带性质。本文主要通过深 低温，强磁场下的Shubnikov-de Haas(SdtO效应测量和常规变磁场霍尔测量，采 (MCV)，系统地研究了不同材料异质结二维电子气的磁阻振荡，并得到以下具有创 新性的研究结果： 1．观察到在AIGaN／GaN异质结界面处的二维电子气占据两个子带，以及由电子 子带问散射引起的磁阻振荡，该振荡不同于SdH振荡，它对温度的变化不敏感， 也不依赖于费米能级，只与两个子带的能级间距有关。并在一定温度范围内观察 到磁阻拍频现象，其来源于该磁阻振荡与SdH振荡的相互叠加。根据Sander等 人和Raikh等人给出的磁阻振荡的具体表达式，拟合实验结果表明磁阻拍频是由 第一子带SdH振荡和磁致子带问散射引起的磁阻振荡导致的。 2．观察到AIGaN／GaN异质结二维电子气的磁阻振荡在低场下出现正。负磁阻变 化，分析表明其来源于AIGaN／GaN异质结二维电子气中的量子相干散射，表现 散近似下的磁导率随磁场变化关系式，拟合实验结果得到电子自旋．轨道散射时问 以及非弹性散射时间。电子的自旋．轨道散射主要来源于晶体场引起的自旋分裂， 不受晶格温度的影响，而非弹性散射时间与温度成反比关系，表明非弹性散射机 制主要来源于小能量转移的电子．电子散射。 二维电子气磁阻拍频振荡的研究，发现温度，栅压的变化都会引起磁阻拍频节点 位置的变化。从对拍频的分析中，可以将依赖于栅压的Rashba自旋．轨道分裂和 依赖于温度的巨大塞曼分裂区分开来。 摘 要 4．研究了双子带占据的Inoj3Gao．47A咖oj2A】o』诅s单量子阱中磁阻振荡效应和霍 耳效应，获得了不同子带电子的浓度、迁移率、有效质量和能级位置。低磁场下 由迁移率谱和多载流子拟合相结合得到的各子带电子浓度与通过磁阻振荡得到的 结果一致。在d2p／dBLl／a的快速傅里叶变换谱中，观察到除了通常强烈依赖 温度的对应于各子带的频率(fl和f2)以及fl的倍频(2f1)外，还观察到对温度不敏 感的频率fi--f2，这是由于量子阱中不同子带的电子具有相近的有效质量，两个 子带之间发生了强烈的磁致子带间散射。 关键词：磁性二维电子气、磁输运、拍频现象、量子相干散射、磁致子带间散射、 弱局域、反弱局域 Ⅱ 摘 要 Abstract The oscillationsof semiconductor magnetoresistance heterojunction two-dimensionalelectron fromelectron effect，which gas(2DEG)originatequantum thestate variationofLandau atFermilevel．Wecan the reflectingdensity energy study oscillationsoftwo—dimensionalelectron magnetoresistance gasbymagnetotransport characterand whichwecan abundantelectrical measurement，by get electrons—su