SPM实现纳米加工与单电子器件的研究资料.ppt

SPM实现纳米加工与单电子器件的研究 王艳霞 2001.12 内容提要 扫描探测原理与扫描探针加工技术 利用SPM实现纳米尺度的电场加工原理 利用SPM实现纳米尺度的电场加工系统 纳米加工与单电子器件研究展望 主要制备纳米结构的技术有： 利用SPM加工技术； 常规光刻法； 自组装技术； 电子束光刻法； 聚焦离子束技术。 1974年美国采用扫描探测原理，利用场发射电流测量表面的微观形貌，是现代扫描探针的雏形。八十年代STM、AFM等将隧道效应、原子间作用力与扫描探测原理相结合，观察到表面的原子结构，推动了纳米技术的发展。从此，人们开始逐步研究物质各种表面的微观特性。 扫描探测原理 在一个不透光的屏上开一个小孔，测量光线通过小孔照射到被测物体上，光线经过被测物体再通过小孔被反射回来，同时被测物体相对于小孔做扫描运动。 扫描探针加工技术是从扫描显微技术发展而来，利用探针与样品的相互作用，在样品表面实现图形结构的纳米氧化加工。 就探针在加工过程中移动的方式而言，纳米氧化加工方法可分为： 扫描点阵加工方法 矢量加工方法 扫描点阵加工方式 在样品表面的正方形区域内进行逐点扫描加工，这种加工方式得到的加工图形的结构具有离散性。 加工前，必须对所需加工的图形结构进行编码，将扫描区域初始化为一位图，图形结构由一系列点组成。 扫描点阵加工方式 扫描加工时，SPM设置为正常的成像模式，扫描参数设置成为，能够获取样品表面形貌，同时尽可能减少探针对样品表面的刻蚀作用。探针在逐点扫描过程中，SPM系统依据探针的扫描位置和图形点阵编码，调整探针与样品的作用参数，从而在样品表面的一定位置上产生点状结构，这些点状结构共同构成连续图形。 点阵式加工的特点： 加工图形的复杂程度不影响加工时间。 利用SPM实现矢量加工方式 探针不必在样品表面进行逐行扫描加工，只需根据加工图形的结构制定出探针的移动路径和相应的加工参数。 加工过程中，控制探针与样品的相对位置，避免在移动探针的过程中，探针剧烈碰撞样品表面。这种加工方式得到的加工图形，结构具有连续性。 利用SPM实现电场加工 利用SPM实现电场加工的两种工作电场方式： 在探针与样品之间形成强电场； 在探针与样品之间通过高密度电流。 利用SPM实现电场加工的原理 AFM等某些SPM是通过探针与样品表面之间存在的某些微小的相互作用力从而得到物体表面形状的显微仪器。 利用 AFM实现电场加工时，探针与样品表面之间没有电流通过，高强电场使得样品表面产生电化学反应，实现电场对样品表面结构加工。 STM等某些SPM是通过在探针与样品表面之间通过隧道电流，由于探针与样品接触面积很小，一定强度的电压就可以得到很高的电流密度，这样高的电流密度使得样品产生电化学反应，实现电场对样品表面结构加工。 利用AFM实现的电场加工系统 STM实现纳米氧化加工 图中给出的是文献中介绍的扫描速度与加工得到的线的宽度（和高度）的关系。在Vt= 5V，It= 1nA的条件下，扫描速度从0.01μm/s增至3μm/s时，加工得到的线的宽度从 45nm降至18nm（ 线的高度从3.5nm降至2.5nm）。这表明，随着STM的探针的扫描速度的增加，在探针与金属膜表面间单位长度内流过的法拉第电流（电化学电流）减少，金属膜氧化的总量减少，形成的氧化线的宽度和高度也随之减少。 STM实现纳米氧化加工 图中给出的是文献中介绍的加工使用的控制电压与加工得到的线宽间的关系。扫描速度是0.01μm/s，隧道电流It= 1nA。控制电压Vt由5V减至2V时，线的高度从4nm减至1nm，总量超过75%。如果进一步将控制电压Vt减少到1V，不再有氧化线形成。因此，金属鈦膜的氧化阈值位于Vt＝1V~2V之间。这个范围内的线宽随Vt变化也不明显，只有控制电压Vt由5V减至2V时线宽减少量的15%。 STM实现纳米氧化加工 对于应用在器件中的STM/AFM纳米氧化加工，应该准确确定金属膜表面的氧化金属线的深度。文献中的实验表明，在金属膜厚度低于5nm时，加工得到的氧化线的宽度和高度，随着金属膜厚度的变化而变化。 STM实现纳米氧化加工 当使用探针的扫描速度和隧道电流等参数恒定时，出现的单位长度内的电化学电流（法拉第电流）的总量一定，当