存储器系统资料.ppt

复位时，芯片引脚OM[1:0]=00时，嵌入式系统进入自动引导模式； Halfpage pointer表示在整页中的半页位置， 即在0～255空间还是在256～511空间，用A[8]表示， A[8]=0，前半页，A[8]=1，后半页； 按照K9F1208的组织方式可以分四类地址： Column Address表示在半页中的列地址， 大小范围0～255，用A[0:7]表示； Page Address表示在块中的页地址， 大小范围0～31，用A[13:9]表示； Block Address表示在flash中的块位置， 大小范围0～4095，A[25:14] 表示； 引 脚 描 述 I/O[7：0] 数据输入输出、控制命令和地址的输入 CLE 命令锁存信号（I/O[7:0]控制命令） ALE 地址锁存信号（I/O[7:0]地址输入） CE# 芯片使能信号 RE# 读有效信号（I/O[7:0]数据输出） WE# 写有效信号（I/O[7:0]数据输入） WP# 写保护信号 R/nB 就绪/忙标志信号 VCC 2.7V～3.3V电源 VSS 接地 2） NAND Flash接口电路 NAND flash控制器自动起动模式时的工作过程： ①将NAND Flash的前4KB启动代码拷贝到内部缓存4KB中； ②内部缓存4KB地址映射为Bank0起始地址，执行缓存4KB中的代码。 S3C2410 ※ I/O[7：0] 数据输入输出、控制命令和地址的输入 如何实现 数据输入输出、 控制命令输入、 地址的输入？ 3）读写控制 讨论： 如何把 数据、命令、地址分开？ 读数据 操作的流程图 ①写入“读命令” ②写入“读地址” ③读数据 读操作 K9f1208的寻址分为4个cycle： A[0:7]、 A[9:16]、 A[17:24]、 A[25]。 地址输入 static void ReadPage(U32 addr, U8 *buf) {U16 i;NFChipEn(); //使能NandFlash，WrNFCmd(READCMD0); //发送读指令‘0x00’， WrNFAddr(addr); //写地址的第1个cycle，即A[0:7] WrNFAddr(addr9); //写地址的第2个cycle，即A[9:16]WrNFAddr(addr17);//写地址的第3个cycle，即A[17:24]WrNFAddr(addr25);//写地址的第4个cycle，即A[25]。WaitNFBusy(); //等待系统不忙 for(i=0; i512; i++)buf[i] = RdNFDat(); //循环读出1页数据 NFChipDs(); //释放Nand Flash} 写操作的流程图 写操作 static void WritePage(U32 addr, U8 *buf) {U32 i;NFChipEn(); //使能NandFlashWrNFCmd(PROGCMD0); //发送写开始指令’0x80’WrNFAddr(addr); //写地址的第1个cycle?WrNFAddr(addr9); //写地址的第2个cycleWrNFAddr(addr17); //写地址的第3个cycleWrNFAddr(addr25); //写地址的第4个cycleWaitNFBusy(); //等待系统不忙for(i=0; i512; i++)?WrNFDat(buf[i]); //循环写入1页数据WrNFCmd(PROGCMD1); //发送写结束指令’0x10’NFChipDs(); //释放NandFlash} 如何实现 数据输入、输出？ 讨论： NAND Flash K9F1208 3、SDRAM HY57V561620接口电路 SDRAM:Synchronous Dynamic RAM:同步动态随机存储器 SDRAM工作原理 原理： 行选与列选信号使存储电容与外界的传输电路导通， 从而实现放电（读取）与充电（写入）。 SDRAM有4个bank。 SDRAM是一个不断刷新充电，才能保住数据的存储器。 BANK0 BANK1 予充电 读取 在具有4个bank的SDRAM中： bank1被读取；bank2进行预充电。 BANK2 BAN