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化学气相沉积——CVD方法简介 沉积区域为球形，基片受热均匀，反应气体均匀供给；产品的均匀性好，膜层厚度一致，质地均匀。 特点？ 化学气相沉积——CVD方法简介 封闭式（闭管沉积系统）CVD 把一定量的反应物和适当的基体分别放在反应器的两端，抽空后充入一定的输运气体，然后密封，再将反应器置于双温区炉内，使反应管内形成温度梯度。 温度梯度造成的负自由能变化是传输反应的推动力，所以物料从闭管的一端传输到另一端并沉积下来。在理想情况下，闭管反应器中所进行的反应其平衡常数值应接近于1。 化学气相沉积——CVD方法简介 温度梯度2.5℃/cm 低温区T1=T2-13.5℃ 高温区T2=850~860℃ 化学气相沉积——CVD方法简介 闭管法的优点：污染的机会少，不必连续抽气保持反应器内的真空，可以沉积蒸气压高的物质。 闭管法的缺点：材料生长速率慢，不适合大批量生长，一次性反应器，生长成本高；管内压力检测困难等。 闭管法的关键环节：反应器材料选择、装料压力计算、温度选择和控制等。 化学气相沉积——LPCVD ★ 低压化学气相沉积（LPCVD） LPCVD原理 早期CVD技术以开管系统为主，即Atmosphere Pressure CVD (APCVD)。 近年来，CVD技术令人注目的新发展是低压CVD技术，即Low Pressure CVD（LPCVD）。 LPCVD原理于APCVD基本相同，主要差别是： 低压下气体扩散系数增大，使气态反应物和副产物的质量传输速率加快，形成薄膜的反应速率增加。 化学气相沉积——LPCVD 化学气相沉积——LPCVD LPCVD优点 （1）低气压下气态分子的平均自由程增大，反应装置内可以快速达到浓度均一，消除了由气相浓度梯度带来的薄膜不均匀性。 （2）薄膜质量高：薄膜台阶覆盖良好；结构完整性好；针孔较少。 （3）沉积速率高。沉积过程主要由表面反应速率控制，对温度变化极为敏感，所以，LPCVD技术主要控制温度变量。LPCVD工艺重复性优于APCVD。 （4）卧式LPCVD装片密度高，生产效率高，生产成本低。 化学气相沉积——LPCVD LPCVD在微电子技术中的应用 广泛用于沉积掺杂或不掺杂的氧化硅、氮化硅、多晶硅、硅化物薄膜，Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜以及钨、钼、钽、钛等难熔金属薄膜。 化学气相沉积——等离子化学气相沉积 ★ 等离子化学气相沉积 在普通CVD技术中，产生沉积反应所需要的能量是各种方式加热衬底和反应气体，因此，薄膜沉积温度一般较高（多数在900~1000℃）。 容易引起基板变形和组织上的变化， 容易降低基板材料的机械性能； 基板材料与膜层材料在高温下会相互扩散，形成某些脆性相，降低了两者的结合力。 如果能在反应室内形成低温等离子体（如辉光放电），则可以利用在等离子状态下粒子具有的较高能量，使沉积温度降低。 这种等离子体参与的化学气相沉积称为等离子化学气相沉积。用来制备化合物薄膜、非晶薄膜、外延薄膜、超导薄膜等，特别是IC技术中的表面钝化和多层布线。 等离子化学气相沉积： Plasma CVD Plasma Associated CVD Plasma Enhanced CVD 这里称PECVD 化学气相沉积——等离子化学气相沉积 PECVD是指利用辉光放电的物理作用来激活化学气相沉积反应的CVD技术。它既包括了化学气相沉积技术，又有辉光放电的增强作用。既有热化学反应，又有等离子体化学反应。广泛应用于微电子学、光电子学、太阳能利用等领域， 按照产生辉光放电等离子方式，可以分为许多类型。 直流辉光放电等离子体化学气相沉积（DC-PCVD） 射频辉光放电等离子体化学气相沉积（RF-PCVD） 微波等离子体化学气相沉积（MW-PCVD） 电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ECR-PCVD） 化学气相沉积——等离子化学气相沉积 化学气相沉积——等离子化学气相沉积 化学气相沉积——等离子化学气相沉积 化学气相沉积——等离子化学气相沉积 等离子体在CVD中的作用： 将反应物气体分子激活成活性离子，降低反应温度； 加速反应物在表面的扩散作用，提高成膜速率； 对基片和薄膜具有溅射清洗作用，溅射掉结合不牢的粒子，提高了薄膜和基片的附着力； 由于原子、分子、离子和电子相互碰撞，使形成薄膜的厚度均匀。 化学气相沉积——等离子化学气相沉积 PECVD的优点： 低温成膜（300-350℃），对基片影响小，避免了高温带来的膜层晶粒粗大及膜层和基片间形成脆