数字电子技术基本教程_阎石_3逻辑门1要点.pptVIP

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  • 2016-03-03 发布于湖北
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数字电子技术基本教程_阎石_3逻辑门1要点.ppt

第3章 逻辑门 正逻辑:高电平表示1,低电平表示0 负逻辑:高电平表示0,低电平表示1 门电路:实现基本运算、复合运算的单元电路,如与门、与非门、或门 …… 门电路中以高/低电平表示逻辑状态的1/0 3.1 MOS管的开关特性 1、MOS管的结构 NMOS管的基本开关电路   对于增强型PMOS管则与NMOS管相反,其开启电压为负。即只有UGS为负,且其绝对值大于开启电压的绝对值,此时PMOS管导通。 3.2 CMOS门电路(Complementary) 3.2.1 CMOS反相器及传输门 1、CMOS反相器 电压、电流传输特性 2、CMOS传输门 3.2.2 CMOS与非门、或非门 1. 与非门 2.或非门 1、三态输出门--TSL(There State Logic)  外接上拉电阻RL的计算 3.2.5  CMOS 门电路的电气特性和参数 一、直流(静态)特性:电路处于稳定时的电压电流特性。  1. 输入低电平VIL 、输入高电平VIH  输入为高、低电平时电压变化范围。即: 0~ VIL(max) ,VIH(min) ~ VDD   VIL(max):允许输入低电平的最大值,典型值1.5V; VIH( min):允许输入高电平的最小值,典型值3.5V ;  

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