高压LED在未来的应用精要.pptVIP

L/O/G/O 高压LED介绍及在未来的发展 高压LED的介绍及在未来的发展 2 广义高压 LED 3 狭义高压LED 4 高压 LED在未来发展趋势 1 高压 LED概念 1、高压 LED概念 1.1 HV LED概念的产生 1、 高压 LED概念 转换效率 DC LED总体的效率为：80 lm/W×0.7=56 lm/W AC LED总体的效率为：60 lm/W 事实上： DC ：132 lm/W×0.8=105.6 lm/W AC：90～100 lm/W ? 1、 高压 LED概念 1.2 HV LED概念的各种实现形式 高压 LED + 外部桥接 (蓝光高压 LED + 分立的红光芯片) (蓝光+红光芯片 + 磷光剂) 1、 高压 LED概念 1.3 HV LED的成就 　 桥式：AC55B：75lm/W(5700K,2009Q4@研发)AC36B：86.4-93.2lm/W(5300K,2010Q1@研发)高压+外部桥接：蓝光+红光：96.7-106.8 lm/W(DC.2800K-3000K,CRI90) 晶元光电 无电阻 桥式：50lm/W(AC,3000K,量产)高压+外部桥接：首尔半导体A4：65-57 lm/W(AC,3100K,量产)100lm/W,5700K,量产??（2010Q2） S.XX 　 封装形式AC LED；（0.7W，12V）；40Lm/W(AC,3100K,量产) L.XX 备注 实现方式/当前成果 公司名称 1、 HV LED概念 1.4 HV LED电路及芯片制作 反向平行的AC LED 桥模式AC LED 宽桥模式-AC LED 宽桥模式-AC LEDⅠ 宽桥模式-AC LEDⅡ 更大面积的微晶粒在中间区域 公共发光部分 负半波 发光 正半波 发光 1、 AC HV LED概念 1.5 HV LED设计问题 1、 HV LED概念 1.6 HV LED概念的发展 更大的芯片利用比例 宽桥模式AC LED 肖特基模式AC LED 反平行AC LED 更小整流管，更大的芯片利用比例 12V宽桥模式 AC LED 12V肖特基模式 AC LED 氧化镓基半导体具有宽禁带，是良好的肖特基二极管材料 73.60% 60.20% 芯片利用率 272.4K μ㎡ 222.7K μ㎡ 发光区域（在单个偏置方向上） 10.8K μ㎡ 70.6K μ㎡ 整流二极管面积 肖特基模式AC LED 宽桥模式AC LED 　 狭义上的高压LED：把一个芯片的外延层分割成数个芯粒单元，并把它们串联起来，则构成高电压LED芯片。 广义上的高压LED是指把一个芯片的外延层分割成数个芯粒单元，并通过片上电路设计连接而构成的LED芯片。 按照此电路设计定义，目前公认的高压LED可以分为两大类:高压直流LED和高压交流LED.高压直流LED在封装或应用端采用桥式电路实现高压交流驱动，而高压交流LED则将桥式电路设计于芯片层面来实现高压交流驱动.由于高压交流LED的部分芯粒分时点亮，导致发光效率比高压直流LED低。 1.7 高压LED定义 1、 AC HV LED概念 2、广义高压LED 广义上的高压LED典型的应用就类似于市面上的COB集成封装的交流高压LED灯具。 2.1 高压交流LED的典型 COB（Chip On Board） COB封装：直接将LED芯片固在具有良好导热性能的MCPCB上，将LED芯片和MCPCB一起做成COB光源模组，直接应用于灯具。 2、广义高压LED 2.2 COB 封装LED结构原理 2.3 高压交流LED集成方式 恒流驱动 恒压驱动 1、低电源效率（75%)2、很多安全问题（高压）3、在变化的高电压环境下会闪烁 1、 功率因数高（0.9)2、成本低（无IC）3、结构紧凑 恒压驱动方式 1、功率因数低（0.5)2、成本高 1、电源效率高（85%)2、更小的安全隐患3、在变化的高压环境下不会闪烁 恒流驱动方式 缺点 优点 　 2、广义高压LED 2.4 广义高压交流LED优缺点 优点： 增强了散热，提高了光效，延长了使用寿命 简化了二次光学设计 色泽均匀性高 可以避免点光、眩光问题 结构上更有利于灯具的生产，使生产更具规模化，生产成本降低，产品的可靠性增加。 缺点： 1、COB不是单颗芯片简单的组合，它是多颗芯片通过串并联方式来实现的，它是通过芯片与芯片进行混联而得到的，如果一颗芯片受损，会影响到整串灯不亮，同时给其他串的芯片增加了负担，那么可能会由于超负荷的问题使整个产品崩溃。 2、随着芯片发光效率的大幅度提升，现SMD单颗发光效率能达到130LM/W以上，而对于COB来说，现只能在100LM/W的水平