电力电子技术课件第二章电力电子器件详解.ppt

* 电力电子技术 * 2.4.3 电力场效应晶体管 ■电力MOSFET的主要参数 ?标称电力MOSFET电流定额的参数。 ◆栅源电压UGS ?栅源之间的绝缘层很薄，?UGS?20V将导致绝缘层击穿。 ◆极间电容 ? CGS、CGD和CDS。 ◆漏源间的耐压、漏极最大允许电流和最大耗散功率决定了电力MOSFET的安全工作区。 * 电力电子技术 * 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ■GTR和GTO是双极型电流驱动器件，由于具有 电导调制效应，其通流能力很强，但开关速度较 低，所需驱动功率大，驱动电路复杂。 而电力MOSFET是单极型电压驱动器件，开关速度快， 输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱 动电路简单。 绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor——IGBT或IGT）综合了GTR 和MOSFET的优点，因而具有良好的特性。 * 电力电子技术 * 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ■IGBT的结构和工作原理 ◆IGBT的结构 ?是三端器件，具有栅极G、集电极C和发射极E 图2-23 IGBT的简化等效电路和电气图形符号 * 电力电子技术 * 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ■IGBT的结构和工作原理 ◆IGBT的结构 ?是三端器件，具有栅极G、集电极C和发射极E 图2-23 IGBT的简化等效电路和电气图形符号 RN为晶体管基区内的调制电阻。 * 电力电子技术 * 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ◆IGBT的工作原理 ?IGBT的驱动原理与电力MOSFET基本相同，是一种场 控器件。 ?其开通和关断是由栅极和发射极间的电压UGE决定的。 √当UGE为正且大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，并为晶体管提供基极电流进而使IGBT导通。 √当栅极与发射极间施加反向电压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，使得IGBT关断。 ?电导调制效应使得电阻RN减小，这样高耐压的IGBT也具有很小的通态压降。 * 电力电子技术 * 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ■IGBT的基本特性 ◆静态特性 ?转移特性 √描述的是集电极电流 IC与栅射电压UGE之间的 关系。 √开启电压UGE(th)是 IGBT能实现电导调制而 导通的最低栅射电压，随 温度升高而略有下降。 （a） 图2-24 IGBT的转移特性 * 电力电子技术 * 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ?输出特性（伏安特性） √描述的是以栅射电压为参考变量时，集电极电流IC与集射极间电压UCE之间的关系。 √分为三个区域：正向阻断区、有源区和饱和区。 (b) 图2-24 IGBT的输出特性 * 电力电子技术 * 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 (b) 图2-24 IGBT的输出特性 ?输出特性（伏安特性） √当UCE0时，IGBT为反向阻断工作状态。 √在电力电子电路中，IGBT工作在开关状态，因而是在正向阻断区和饱和区之间来回转换。 * 电力电子技术 * 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ◆动态特性 ?开通过程 开通延迟时间td(on) 电流上升时间tr 电压下降时间tfv 开通时间 ton= td(on)+tr+ tfv tfv分为tfv1和tfv2两段。 图2-25 IGBT的开关过程 * 电力电子技术 * 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ◆动态特性 ?关断过程 关断延迟时间td(off) 电压上升时间trv 电流下降时间tfi 关断时间 toff = td(off) trv+tfi tfi分为tfi1和tfi2两段 图2-25 IGBT的开关过程 * 电力电子技术 * 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ■IGBT的主要参数 ◆前面提到的各参数。 ◆最大集射极间电压UCES ?由器件内部的PNP晶体管所能承受的击穿电压所确定的。 ◆最大集电极电流 ?包括额定直流电流IC和1ms脉宽最大电流ICP。 ◆最大集电极功耗PCM ?在正常工作温度下允许的最大耗散功率。 * 电力电子技术 * 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ◆IGBT的特性和参数特点可以总结如下： ?开关速度高，开关损耗小。