微电子工艺之光刻技术解读.pptVIP

第四章 光刻技术 ①定义：通过光化学反应，将光刻版（mask）上的图形转移到覆盖在Si片上的感光层（光刻胶）上的工艺。 ②目的：在SiO2 Si3N4 poly-Si 及金属膜上形成与光刻版完全对应的图形，实现选择性扩散和金属布线。 ③工艺流程：涂胶→前烘→曝光→显影→坚膜→腐蚀→去胶 ④光刻三要素：光刻胶，光刻版（掩膜版），光刻机。 第四章 光刻技术 一、光刻胶 1.光刻胶的组份 例如：聚乙烯醇肉桂酸脂系（负胶） ①感光剂－聚乙烯醇肉桂酸脂 感光波长：230－340nm； 最大吸收峰：320nm； 浓度：5-10% 一、光刻胶 ②增感剂－5-硝基苊 感光波长：480nm; 浓度：0.25-1% ③溶剂－环己酮 浓度：90－95％ ④交链剂 例如，聚烃类（负胶） 交链剂: N3-R-N3 ,双叠氮化合物 一、光刻胶 2.性能指标 ①感光度S－表征光刻胶对光的敏感程度。 S=n/E，或S=h/(I·t) E-曝光量（lx·s，勒克斯·秒）；n-比例系数；I-光强度；t-曝光时间。 ②分辨率－表征光刻精度，即光刻时所能得到的光刻图形的最小尺寸。 表示方法：每mm最多可容纳的线条数。若可分辨的最小线宽为W/2（线条间隔也为W/2），则 分辨率＝1/W(mm-1) 一、光刻胶 光刻胶的分子量越高，分子量分散性越大，则分辨率越低。正胶分辨率高于负胶； ③粘附性－表征光刻胶与衬底间粘