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1.2 不可控器件——电力二极管   Power Diode 结构和原理简单，工作可靠，自 20 世纪 50 年代初期就获得应用   快恢复二极管和肖特基二极管，分别在中、高频整流和逆变，以及低压高频整流的场 合，具有不可替代的地位 1.2.1 PN 结与电力二极管的工作原理   基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管一样   以半导体 PN 结为基础   由一个面积较大的 PN 结和两端引线以及封装组成的   从外形上看，主要有螺栓型和平板型两种封装 图 1-2 电力二极管的外形、结构和电气图形符号 a) a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号 N 型半导体和 P 型半导体结合后构成 PN 结。交界处电子和空穴的浓度差别，造成了各区 的多子向另一区的扩散运动，到对方区内成为少子，在界面两侧分别留下了带正、负电荷但不 能任意移动的杂质离子。这些不能移动的正、负电荷称为空间电荷。空间电荷建立的电场被称 为内电场或 自建电场，其方向是阻止扩散运动的，另一方面又吸引对方区内的少子（对本区而 言则为多子）向本区运动，即漂移运动 。扩散运动和漂移运动既相互联系又是一对矛盾，最终 达到动态平衡，正、负空间电荷量达到稳定值，形成了一个稳定的由空间电荷构成的范围，被 称为空间电荷区，按所强调的角度不同也被称为耗尽层、阻挡层或势垒区。 图 1- 3 PN 结的形成 PN 结的正向导通状态 电导调制效应使得 PN 结在正向电流较大时压降仍然很低，维持在 1V 左右，所以正向偏置 的 PN 结表现为低阻态 PN 结的反向截止状态 PN 结的单向导电性 二极管的基本原理就在于 PN 结的单向导电性这一主要特征 PN 结的反向击穿 有雪崩击穿和齐纳击穿两种形式，可能导致热击穿 PN 结的电容效应： PN 结的电荷量随外加电压而变化，呈现电容效应，称为结电容 C ，又称为微分电容。结 J 电容按其产生机制和作用的差别分为势垒电容 CB 和扩散电容 CD 势垒电容只在外加电压变化时才起作用，外加电压频率越高，势垒电容作用越明显。势垒 电容的大小与 PN 结截面积成正比，与阻挡层厚度成反比 而扩散电容仅在正向偏置时起作用。在正向偏置时，当正向电压较低时，势垒电容为主正 向电压较高时，扩散电容为结电容主要成分 结电容影响 PN 结的工作频率，特别是在高速开关的状态下，可能使其单向导电性变差， 甚至不能工作，应用时应加以注意。 造成电力二极管和信息电子电路中的普通二极管区别的一些因素：   正向导通时要流过很大的电流，其电流密度较大，因而额外载流子的注入水平较高， 电导调制效应不能忽略   引线和焊接电阻的压降等都有明显的影响   承受的电流变化率 d i/d t 较大，因而其引线和器件自身的电感效应也会有较大影响   为了提高反向耐压，其掺杂浓度低也造成正向压降较大 1.2.2 电力二极管的基本特性 图 1-4 电力二极管的伏安特性 1. 静态特性 主要指其伏安特性 当电力二极管承受的正向电压大到一定值（门槛电压 UT O ），正向电流才开始明显增加，处 于稳定导通状态。与正向电流 I F 对应的电力二极管两端的电压 UF 即为其正向电压降。当电力 二极管承受反向电压时，只有少子引起的微小而数值恒定的反向漏电流。 2. 动态特性 动态特性——因结电容的存在，三种状态之间的转换必然有一个过渡过程，此过程中的电 压—电流特性是随时间变化的 开关特性——反映通态和断态之间的转换过程 关断过程：   须经过一段短暂的时间才能重新获得反向阻断能力，进入截止状态   在关断之前有较大的反向电流出现，并伴随有明显的反向电压过冲 图 1- 5 电力二极管的动态过程波形 a) 正向偏置转换为反向偏置