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反激变换器中的振荡现象公式推导
反激电源线路中的振荡现象的公式推导
DATA ：2012-08-25
Prepared by: Zhou zheng
在准谐振的反激电源当中，谐振现象分别发生在MOSFET 关断之后，以及RCD 钳位(漏感能量
释放)之后，另外还有二次侧去磁结束之后。它们的表达式的推导过程如下。
由于谐振发生在MOSFET 关断的过程里。所以可以从关断时刻开始，进行分析。下图1-1 是一
个典型的RCD 嵌位线路的反激电路。下面分析的是MOSFET 关断时刻的波形以及现象，这个现象
发生在任何形式的反激电路中。
图1-1 钳位电路以及对应的波形
V
ds
V
cl
V +NV
in o
NVo
V
in
t
t0 t1 t2 t3
图 1-2 MOSFET 关断之后，V 波形
ds
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反激变换器中的振荡现象公式推导
图1-3 是一个TVS+二极管的钳位吸收电路的实测波形：其原理和RCD 吸收的原理相似。
图 1-3 Ch1: secondly winding voltage ; ch3: Vds of MOSFET
假设t0 时刻，原边MOSFET 关断，由于电感本身的特性，其中的电流Ip 来不及变话，此时Ip
的路径是流经寄生电容C 充电，在负载比较大时，I
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