薄膜淀积工艺(上)詳解.pptVIP

* 第五章 薄膜淀积工艺 （上） 薄膜淀积（Thin Film Deposition）工艺 ■ ? 概述 ■ ? 真空技术与等离子体简介 (第10章) ■ ? 化学气相淀积工艺 (第13章) ■ ? 物理气相淀积工艺 (第12章) ■ ? 小结 参考资料： 《微电子制造科学原理与工程技术》第10、12、13章 （电子讲稿中出现的图号是该书中的图号） 一、概述 薄膜淀积工艺是IC制造中的重要组成部分：在硅表 面以上的器件结构层绝大部分是由淀积工艺形成的。 1、薄膜淀积工艺的应用 2、薄膜淀积工艺一般可分为两类： (1) 化学气相淀积（Chemical Vapor Deposition）：利用化 学反应生成所需薄膜材料，常用于各种介质材料和半导 体材料的淀积，如二氧化硅、多晶硅、氮化硅等。 (2) 物理气相淀积（Physical Vapor Deposition）：利用物理 机制制备所需薄膜材料，常用于金属薄膜的制备淀积， 如铝、钨、钛等。 (3) 其他的淀积技术还包括：旋转涂布法、电解电镀法等 SOG（Spin on Glass） 金属Cu的淀积 3、评价薄膜淀积工艺的主要指标： (1) 薄膜质量：组分、污染、缺陷密度、机械性能和电学性能 (2) 薄膜厚度及其均匀性：表面形貌和台阶覆盖能力 (3) 薄膜的间隙填充（ Gap Filling）能力 深宽